[发明专利]晶体管的形成方法、半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的上表面低于所述半导体衬底上表面且差值大于设定阈值，所述半导体衬底与所述浅沟槽隔离结构相邻的侧壁为倾斜表面；

在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖宽度方向的所述倾斜表面；

以所述栅极结构为掩模，沿与所述半导体衬底上表面垂直的方向在所述栅极结构两侧的半导体衬底中进行轻掺杂离子注入，且沿与所述半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的倾斜表面中进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区。

2.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述设定阈值大于或等于10nm。

3.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述设定角度大于或等于60°且小于或等于70°。

4.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，先沿与所述半导体衬底上表面垂直的方向在所述栅极结构两侧的半导体衬底中进行一次或多次轻掺杂离子注入；再沿与所述半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的倾斜表面中进行一次或多次轻掺杂离子注入。

5.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，先沿与所述半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的倾斜表面中进行一次或多次轻掺杂离子注入；再沿与所述半导体衬底上表面垂直的方向在所述栅极结构两侧的半导体衬底中进行一次或多次轻掺杂离子注入。

6.如权利要求1、4或5所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述沿与所述半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的倾斜表面中进行轻掺杂离子注入包括：先沿与所述半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的一个方向的倾斜表面中进行一次或多次轻掺杂离子注入，再沿与所述半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的另一个方向的倾斜表面中进行一次或多次轻掺杂离子注入。

7.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括：栅介电层和栅电极层。

8.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介电层的材质为高介电常数物质，所述栅电极层的材质为金属。

9.如权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介电层的材质为氧化物或氮化物，所述栅电极层的材质为多晶硅。

10.如权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述轻掺杂区之后，在所述栅极结构两侧形成侧墙；以所述侧墙和栅极结构为掩模，在侧墙两侧的半导体衬底中进行重掺杂离子注入，形成重掺杂区。

11.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体器件包括晶体管，采用如权利要求1至10中任一项所述的晶体管的形成方法形成晶体管。