[发明专利]半导体检测结构及形成方法有效
| 申请号： | 201210332980.6 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681621A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/768;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体检测结构及形成方法，所述半导体检测结构包括：基底，位于基底第一区域上的第一待检测单元，位于基底第二区域上的第二待检测单元，位于基底上的N型掺杂结构和P型掺杂结构，与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构的一端电连接的第一金属层，一个第一金属层对应于一个第一待检测单元，与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构的另一端电连接的第二金属层，一个第二金属层对应于一个第二待检测单元，所述N型掺杂结构、第一金属层、P型掺杂结构、第二金属层串联后与交流电源相连接。通过在所述N型掺杂结构、P型掺杂结构和金属层之间通交流电，利用珀尔帖效应对所述第一待检测单元、第二待检测单元进行快速的升温和降温，检测时间和成本较低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 检测 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体检测结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域；位于所述基底第一区域上的第一待检测单元；位于所述基底第二区域上的第二待检测单元；位于所述基底上的N型掺杂结构和P型掺杂结构，所述N型掺杂结构、P型掺杂结构的一端位于所述基底的第一区域，另一端位于所述基底的第二区域；与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构的一端电连接的第一金属层，一个第一金属层对应于一个第一待检测单元；与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构的另一端电连接的第二金属层，一个第二金属层对应于一个第二待检测单元；所述N型掺杂结构、第一金属层、P型掺杂结构、第二金属层串联后与交流电源相连接。
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