[发明专利]半导体检测结构及形成方法

权利要求书

1.一种半导体检测结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一区域和第二区域；位于所述基底第一区域上的第一待检测单元；位于所述基底第二区域上的第二待检测单元；位于所述基底上的N型掺杂结构和P型掺杂结构，所述N型掺杂结构、P型掺杂结构的一端位于所述基底的第一区域，另一端位于所述基底的第二区域；与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构的一端电连接的第一金属层，一个第一金属层对应于一个第一待检测单元；与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构的另一端电连接的第二金属层，一个第二金属层对应于一个第二待检测单元；所述N型掺杂结构、第一金属层、P型掺杂结构、第二金属层串联后与交流电源相连接。

2.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述N型掺杂结构和P型掺杂结构为位于基底内的N型掺杂区和P型掺杂区。

3.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述N型掺杂结构和P型掺杂结构为位于基底表面的N型多晶硅结构和P型多晶硅结构。

4.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，还包括，位于所述N型掺杂结构和P型掺杂结构表面的导电插塞，所述N型掺杂结构和P型掺杂结构表面通过所述导电插塞与第一金属层、第二金属层电学连接。

5.如权利要求4所述的半导体检测结构，其特征在于，在基底第一区域上，所述N型掺杂结构、P型掺杂结构与导电插塞相接触的位置围绕第一待检测单元设置。

6.如权利要求4所述的半导体检测结构，其特征在于，在基底第二区域上，所述N型掺杂结构、P型掺杂结构与导电插塞相接触的位置围绕第二待检测单元设置。

7.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述第一金属层位于第一待检测单元的正上方，所述第二金属层位于第二待检测单元的正上方。

8.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述第一金属层、第二金属层为环形金属层，所述环形金属层的中间区域对应于第一待检测单元或第二待检测单元的位置。

9.如权利要求8所述的半导体检测结构，其特征在于，所述环形金属层的高度高于、等于或低于所述第一待检测单元、第二待检测单元的高度，且所述环形金属层通过导电插塞与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构电学连接。

10.如权利要求8所述的半导体检测结构，其特征在于，所述环形金属层位于所述基底表面，且直接与所述N型掺杂结构和P型掺杂结构电学连接。

11.如权利要求1所述的半导体检测结构，其特征在于，所述第一待检测单元和第二待检测单元包括：MOS晶体管、功率器件、存储器、LED器件、光伏器件、图像传感器、电感、电容、电阻、集成电路其中的一种或几种。

12.一种半导体检测结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域；

在所述基底第一区域上形成第一待检测单元，在所述基底第二区域上形成第二待检测单元；

在所述基底上形成N型掺杂结构和P型掺杂结构，所述N型掺杂结构、P型掺杂结构的一端位于所述基底的第一区域，另一端位于所述基底的第二区域；

在所述基底上形成第一金属层和第二金属层，一个第一金属层对应于一个第一待检测单元，且所述第一金属层与第一区域上的N型掺杂结构和P型掺杂结构电连接，一个第二金属层对应于一个第二待检测单元，且所述第二金属层与第二区域上的N型掺杂结构和P型掺杂结构电连接。

13.如权利要求12所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，还包括，在所述基底、第一待检测单元、第二待检测单元表面形成层间介质层；在所述层间介质层内形成导电插塞，所述导电插塞位于所述N型掺杂结构和P型掺杂结构的表面，且所述N型掺杂结构在位于基底的第一区域和第二区域上都形成有所述导电插塞，所述P型掺杂结构在位于基底的第一区域和第二区域上都形成有所述导电插塞；在所述层间介质层和导电插塞表面形成第一金属层和第二金属层。

14.如权利要求12所述的半导体检测结构的形成方法，其特征在于，当所述第一金属层、第二金属层为环形金属层时，在所述基底和N型掺杂结构和P型掺杂结构表面形成围绕第一待检测单元的第一金属层和围绕第二待检测单元的第二金属层。