[发明专利]纳流控二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201210314261.1 申请日: 2012-08-30
公开(公告)号: CN102856493A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 葛军;卢威;陈立桅 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/30;H01L51/40;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种纳流控二极管,其包括纳米管道,所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成,所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。本发明还提供了该纳流控二极管的制备方法,其主要是,首先应用光刻工艺和刻蚀工艺加工形成具有该纳流控二极管结构的衬底;然后将该衬底与PDMS材料层通过不可逆键合形成纳米管道,最后在纳米管道的PDMS材料的两端不对称的带电基团。与现有技术相比,本发明提供的纳流控二极管结构简单,制作过程简便、成本低廉、重现性高、可反复使用、高离子强度溶液中整流效果好。
搜索关键词: 纳流控 二极管 及其 制作方法
【主权项】:
一种纳流控二极管,包括纳米管道,其特征在于:所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成,所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。
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