[发明专利]纳流控二极管及其制作方法有效
申请号: | 201210314261.1 | 申请日: | 2012-08-30 |
公开(公告)号: | CN102856493A | 公开(公告)日: | 2013-01-02 |
发明(设计)人: | 葛军;卢威;陈立桅 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/30;H01L51/40;B82Y40/00 |
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地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 纳流控 二极管 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及纳米加工技术领域,具体的说,涉及一种纳流控二极管及其制作方法。
背景技术
随科技不断发展,人们已经从微流控领域进入更低尺度的纳流控领域,实现在纳米管道内流体控制,最典型的器件就是纳流控二极管。在生物体中有很多纳米孔道,比如细胞膜上的水通道、离子通道和核孔复合体,它们控制通过其内部的带电粒子来实现细胞的能量转换、细胞膜电位的调控、以及选择性物质转运。人工模拟生物体而制造的纳米管道具有高稳定性、可控的孔径和长度、可调节的表面性质、以及便于嵌入器件和组成阵列等优点。人工制造的纳米通道通常有较高的长宽比和宽高比,一般的分类认为,当有一个维度达到纳米级别时,既可以成为纳米管道。
在纳米管道内,分子、离子等主要受到静电力、范德华力、氢键、Pauli斥力的作用。如果管壁带有电荷,管内部的电解液内将会形成双电层。双电层的厚度与溶液中的离子强度有关,对于单价离子,当浓度从1到10-5 mol/L-1,双电层厚度可以从3埃到100纳米。通过控制孔径和离子强度,可以改变管道内由双电层影响的电场分布,从而控制通过管道的带电粒子的种类和数量,实现离子分离、检测、能量转换和存储。还通过纳米管道的不对称化来控制阴阳离子在其内部的传输方向,常用的方法有不对称的表面修饰基团、几何结构、材料表面电荷和金属栅电极等。控制纳米管道内的离子电流不仅可以用来研制高灵敏度的传感器,还可以在电子电流和离子电流间进行转换,更有可能实现电子器件和生命体的信号传递。
有文献报道对纳米管道的两端进行不对称的化学修饰,分别修饰上带有正电荷和负电荷的基团,不同的带电基团影响纳米管道两端的正负离子分布,从而得到纳流控二极管(Nano Letters,2007,547-551)。另有文献报道纳米管道是由两种不同材料连接起来的,两种材料的表面电荷不同,也能够造成内部离子分布不同,得到纳流控二极管(Nano Letters,2009,3820-3825)。但是这些纳流控二极管的制备过程复杂,制作成本高,不利于大批量制造。
发明内容
针对上述提到的现有技术存在的问题,本发明提供了一种纳流控二极管,并且提供了该纳流控二极管的制备方法,本发明提供的纳流控二极管结构简单,制作过程简便、成本低廉、重现性高、可反复使用、高离子强度溶液中整流效果好。
为了实现上述的目的,本发明提供了如下的技术方案:
一种纳流控二极管,包括纳米管道,所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成,所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。
优选的,所述纳流控二极管包括不可逆键合形成的PDMS材料层和衬底,所述衬底为玻璃衬底或二氧化硅衬底。
具体的,所述纳米管道凹陷形成于所述衬底上, 所述PDMS材料层覆盖纳米管道的上部开口;或者是,所述纳米管道凹陷形成于所述PDMS材料层上,所述衬底覆盖纳米管道的上部开口。
优选的,所述纳流控二极管包括不可逆键合形成的第一PDMS材料层与第二PDMS材料层;所述纳米管道凹陷形成于第一PDMS材料层上,所述第二PDMS材料层覆盖纳米管道的上部开口。
具体的,前述带电基团选自水合肼、甲胺水溶液、乙胺水溶液、二异丙基胺水溶液和三乙胺乙醇溶剂中的任意一种或多种。
本发明提供了一种前述的纳流控二极管的制备方法,它包括以下的步骤:
(a)制作具有纳米管道结构的衬底;
(b)制作PDMS材料层;
(c)将所述PDMS材料层与衬底进行不可逆键合;
(d)在纳米管道的PDMS材料的两端不对称的修饰带电基团,得到纳流控二极管。
本发明提供了另一种前述的纳流控二极管的制备方法,它包括以下的步骤:
(a)制作具有纳米管道结构的PDMS材料层;
(b)将所述PDMS材料层与衬底进行不可逆键合;
(c)在纳米管道的PDMS材料的两端不对称的修饰带电基团,得到纳流控二极管。
具体的,前述的制作具有纳米管道结构的PDMS材料层的步骤具体为:
首先,制作具有纳米管道结构的衬底;
然后,在具有纳米管道结构的衬底上形成具有与纳米管道反结构的PDMS材料并将其剥离;
最后,在具有与纳米管道反结构的PDMS材料上形成具有纳米管道的PDMS材料层。
本发明提供了又一种前述的纳流控二极管的制备方法,它包括以下的步骤:
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