[发明专利]纳流控二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210314261.1 | 申请日： | 2012-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN102856493A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 葛军;卢威;陈立桅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L51/00 | 分类号： | H01L51/00;H01L51/30;H01L51/40;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳流控 二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种纳流控二极管，包括纳米管道，其特征在于：所述纳米管道的管壁至少部分是由PDMS材料形成，所述PDMS材料的两端不对称的修饰有带电基团。
2.根据权利要求1所述的纳流控二极管，其特征在于：所述纳流控二极管包括不可逆键合形成的PDMS材料层和衬底，所述衬底为玻璃衬底或二氧化硅衬底。
3.根据权利要求2所述的纳流控二极管，其特征在于：所述纳米管道凹陷形成于所述衬底上，所述PDMS材料层覆盖纳米管道的上部开口。
4.根据权利要求2所述的纳流控二极管，其特征在于：所述纳米管道凹陷形成于所述PDMS材料层上，所述衬底覆盖纳米管道的上部开口。
5.根据权利要求1所述的纳流控二极管，其特征在于：所述纳流控二极管包括不可逆键合形成的第一PDMS材料层与第二PDMS材料层；所述纳米管道凹陷形成于第一PDMS材料层上，所述第二PDMS材料层覆盖纳米管道的上部开口。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的纳流控二极管，其特征在于：所述带电基团选自水合肼、甲胺水溶液、乙胺水溶液、二异丙基胺水溶液和三乙胺乙醇溶剂中的任意一种或多种。
7.一种如权利要求3所述的纳流控二极管的制备方法，其特征在于：它包括以下的步骤：
（a）制作具有纳米管道结构的衬底；
（b）制作PDMS材料层；
（c）将所述PDMS材料层与衬底进行不可逆键合；
（d）在纳米管道的PDMS材料的两端不对称的修饰带电基团，得到纳流控二极管。
8.一种如权利要求4所述的纳流控二极管的制备方法，其特征在于：它包括以下的步骤：
（a）制作具有纳米管道结构的PDMS材料层；
（b）将所述PDMS材料层与衬底进行不可逆键合；
（c）在纳米管道的PDMS材料的两端不对称的修饰带电基团，得到纳流控二极管。
9.根据权利要求8所述的所述的纳流控二极管的制备方法，其特征在于：所述的步骤（a）包括：
首先，制作具有纳米管道结构的衬底；
然后，在具有纳米管道结构的衬底上形成具有与纳米管道反结构的PDMS材料并将其剥离；
最后，在具有与纳米管道反结构的PDMS材料上形成具有纳米管道的PDMS材料层。
10.一种如权利要求5所述的纳流控二极管的制备方法，其特征在于：它包括以下的步骤：
（a）制作具有纳米管道结构的第一PDMS材料层；
（b）制作第二PDMS材料层；
（c）将第一PDMS材料层与第二PDMS材料层进行不可逆键合；
（d）在纳米管道的PDMS材料的两端不对称的修饰带电基团，得到纳流控二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
