[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201210307081.0 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102956287B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎由佳;梨木智刚;菅原英男 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供透明导电性薄膜及其制造方法。挠性透明基材上具有结晶性的透明导体层的透明导电性薄膜中，即使透明导体层被图案化，在组装到了触摸屏等中时，也能抑制由看到图案开口部与图案形成部的边界导致的美观性降低。一种在挠性透明基材的一个面上形成有由结晶性导电性金属氧化物形成的透明导体层的透明导电性薄膜，挠性透明基材的厚度为80μm以下。本发明的透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H1与将通过蚀刻去除了透明导体层的透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H2之差H1‑H2为‑0.043％～0.02％。因此，可减小组装到了触摸屏等中时图案边界处的台阶差，抑制美观性降低。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电性薄膜 透明导体层 挠性透明基材 尺寸变化率 触摸屏 结晶性 美观性 加热 组装 导电性金属氧化物 蚀刻 图案形成部 图案边界 开口部 台阶差 图案化 减小 制造 图案 | ||
【主权项】：
一种透明导电性薄膜，其具有挠性透明基材和形成在所述挠性透明基材的一个面的由结晶性导电性金属氧化物形成的结晶性的透明导体层，所述透明导体层的厚度为10～30nm，所述挠性透明基材的厚度为80μm以下，将具有所述结晶性的透明导体层的该透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H1与将通过蚀刻去除了结晶性的透明导体层的该透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H2之差H1‑H2为‑0.043％～0.02％，所述透明导体层是通过溅射法形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日东电工株式会社，未经日东电工株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210307081.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
