[发明专利]透明导电性薄膜及其制造方法有效
| 申请号： | 201210307081.0 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN102956287B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 山崎由佳;梨木智刚;菅原英男 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电性薄膜 透明导体层 挠性透明基材 尺寸变化率 触摸屏 结晶性 美观性 加热 组装 导电性金属氧化物 蚀刻 图案形成部 图案边界 开口部 台阶差 图案化 减小 制造 图案 | ||
1.一种透明导电性薄膜，其具有挠性透明基材和形成在所述挠性透明基材的一个面的由结晶性导电性金属氧化物形成的结晶性的透明导体层，
所述透明导体层的厚度为10～30nm，
所述挠性透明基材的厚度为80μm以下，
将具有所述结晶性的透明导体层的该透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H1与将通过蚀刻去除了结晶性的透明导体层的该透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的尺寸变化率H2之差H1-H2为-0.043％～0.02％，
所述透明导体层是通过溅射法形成的。
2.一种透明导电性薄膜，其具有挠性透明基材和形成在所述挠性透明基材的一个面的由结晶性导电性金属氧化物形成的结晶性的透明导体层，
所述透明导体层进行了图案化，该透明导电性薄膜包括在挠性透明基材上具有结晶性的透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有结晶性的透明导体层的图案开口部，
所述挠性透明基材的厚度为80μm以下，
所述透明导体层的厚度为10～30nm，
将该透明导电性薄膜在140℃下加热30分钟时的、所述图案形成部的尺寸变化率h1与所述图案开口部的尺寸变化率h2之差h1-h2为-0.043％～0.02％，
所述透明导体层是通过溅射法形成的。
3.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导体层由结晶性的掺锡氧化铟形成。
4.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜，其中，所述透明导体层由结晶性的掺锡氧化铟形成。
5.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其中，所述挠性透明基材具有透明薄膜基材和在形成有透明导体层的一侧的面上形成的至少1层底涂层。
6.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜，其中，所述挠性透明基材具有透明薄膜基材和在形成有透明导体层的一侧的面上形成的至少1层底涂层。
7.一种透明导电性薄膜的制造方法，其是制造权利要求1～6中任一项所述的透明导电性薄膜的方法，该方法包括下述工序：
基材准备工序，准备挠性透明基材；
成膜工序，在挠性透明基材上形成由非晶的导电性金属氧化物形成的非晶透明导体层；以及
热处理工序，在图案化工序之前，对所述非晶透明导体层进行加热，转化成结晶性的透明导体层，
所述热处理工序中的加热温度为70℃～140℃。
8.根据权利要求7所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，所述热处理工序中的尺寸变化率为0％～-0.34％。
9.根据权利要求7所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，还包括图案化工序，该工序通过蚀刻去除一部分所述结晶性的透明导体层，图案化为在挠性透明基材上具有透明导体层的图案形成部和在挠性透明基材上不具有透明导体层的图案开口部。
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