[发明专利]CMOS工艺中集成SONOS器件和LDMOS器件的方法

摘要

发明公开了一种CMOS工艺中集成SONOS器件和LDMOS器件的方法，包括步骤：步骤一、在硅衬底上形成浅沟槽隔离结构；形成阱区；进行阈值电压调整注入。步骤二、形成第一预氧层。步骤三、将SONOS器件形成区域的第一预氧层去除。步骤四、淀积ONO层。步骤五、对ONO层进行刻蚀，同时形成SONOS器件和LDMOS器件的栅介质层。步骤六、形成CMOS逻辑器件的栅氧化层。步骤七、进行多晶硅淀积，对多晶硅进行刻蚀同时形成SONOS器件、LDMOS器件和CMOS逻辑器件的栅极多晶硅。步骤八、进行轻掺杂源漏注入；形成侧墙；进行源漏注入。本发明能减少光刻版的层数，降低芯片的制造成本。

主权项

一种CMOS工艺中集成SONOS器件和LDMOS器件的方法，用于在同一硅衬底上集成SONOS器件、LDMOS器件以及CMOS逻辑器件，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在所述硅衬底上形成浅沟槽隔离结构，由所述浅沟槽隔离结构隔离出有源区；形成阱区；进行阈值电压调整注入；步骤二、在步骤一之后的所述硅衬底表面形成第一预氧层；步骤三、采用光刻刻蚀工艺对所述第一预氧层进行刻蚀，将所述SONOS器件形成区域的所述第一预氧层去除并露出所述硅衬底表面，将所述SONOS器件形成区域外的所述第一预氧层保留；步骤四、在所述硅衬底正面依次淀积第一氧化硅层、第二氮化硅层和第三氧化硅层，由所述第一氧化硅层、所述第二氮化硅层和所述第三氧化硅层组成一ONO层，所述ONO层覆盖于所述SONOS器件形成区域的所述硅衬底表面以及所述SONOS器件形成区域外的所述第一预氧层表面；步骤五、采用光刻刻蚀工艺对所述ONO层进行刻蚀，同时形成所述SONOS器件和所述LDMOS器件的栅介质层，所述SONOS器件的栅介质层由刻蚀后位于所述SONOS器件形成区域的所述ONO层组成，所述LDMOS器件的栅介质层由刻蚀后位于所述LDMOS器件形成区域的所述第一预氧层和所述ONO层叠加组成；采用刻蚀工艺将所述SONOS器件和所述LDMOS器件的栅介质层之外的所述第一预氧层全部去除；步骤六、形成所述CMOS逻辑器件的栅氧化层；步骤七、进行多晶硅淀积，采用光刻刻蚀工艺对所述多晶硅进行刻蚀同时形成所述SONOS器件、所述LDMOS器件和所述CMOS逻辑器件的栅极多晶硅；步骤八、进行轻掺杂源漏注入在各所述栅极多晶硅两侧的所述硅衬底中形成轻掺杂源漏注入区；在各所述栅极多晶硅的侧面形成侧墙；进行源漏注入形成所述SONOS器件、所述LDMOS器件和所述CMOS逻辑器件的源区和漏区。