[发明专利]一种圆片级LED封装方法

摘要

本发明涉及一种圆片级LED封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。本发明的硅基载体（2）的正面通过光刻、刻蚀的方法形成下凹的型腔（21），利用光刻、刻蚀的方法成形的硅孤岛（22）与型腔（21）的底部跨接，并与倒装在型腔（21）底部的LED芯片（1）粘接，散热用金属块（72）设置在硅孤岛（22）的下表面，呈岛结构的感光树脂层Ⅰ（61）覆盖在硅基载体（2）的下表面，再布线金属层（71）与电极Ⅰ（121）、电极Ⅱ（122）连接，将LED芯片信号引至硅基载体（2）的背面，同时大面积的再布线金属层（71）有助于封装体的散热。本发明采用非TSV结构，封装工艺难度低、封装成本低，并且提升了散热能力，适于便携式产品中应用。

主权项

一种圆片级LED封装方法，包括以下工艺步骤：步骤一、切割LED圆片，形成单颗的LED芯片（1）；步骤二、准备硅基载体（2）；步骤三、通过光刻、刻蚀的方法在硅基载体（2）的正面形成下凹的型腔（21）；步骤四、在型腔（21）表面和硅基载体（2）上表面沉积反光层（5），并在型腔（21）底部的反光层（5）上形成反光层开口（51）；步骤五、在型腔（21）底部的反光层开口（51）内涂布连结胶（13），并将LED芯片（1）倒装至型腔（21）底部，电极（12）朝下，电极（12）对应反光层开口（51）；步骤六、取玻璃（3），在玻璃（3）的下表面涂布荧光粉层（31）；步骤七、在型腔（21）内填满填充胶（4），并将上述带有荧光粉层（31）的玻璃（3）与硅基载体（2）通过填充胶（4）键合；步骤八、对上述硅基载体（2）的背面进行减薄至下一工艺需要的厚度；步骤九、利用光刻、刻蚀的方法去除上述硅基载体（2）背面的硅和部分连结胶（13），并形成硅孤岛（22）；步骤十、在上述硅基载体（2）的背面用光刻、刻蚀的方法形成感光树脂层Ⅰ（61）；步骤十一、利用光刻、电镀的方法在上述感光树脂层Ⅰ（61）的背面形成再布线金属层（71）和在硅孤岛（22）的下表面形成金属块（72），再布线金属层（71）与电极Ⅰ（121）、电极Ⅱ（122）连接； 步骤十二、在上述封装体的下表面涂布感光树脂层Ⅱ（62），利用光刻、刻蚀的方法形成感光树脂开口（621），露出金属块（72）和再布线金属层（71）的部分区域。