[发明专利]一种圆片级LED封装方法

权利要求书

1.一种圆片级LED封装方法，包括以下工艺步骤：

步骤一、切割LED圆片，形成单颗的LED芯片（1）；

步骤二、准备硅基载体（2）；

步骤三、通过光刻、刻蚀的方法在硅基载体（2）的正面形成下凹的型腔（21）；

步骤四、在型腔（21）表面和硅基载体（2）上表面沉积反光层（5），并在型腔（21）底部的反光层（5）上形成反光层开口（51）；

步骤五、在型腔（21）底部的反光层开口（51）内涂布连结胶（13），并将LED芯片（1）倒装至型腔（21）底部，电极（12）朝下，电极（12）对应反光层开口（51）；

步骤六、取玻璃（3），在玻璃（3）的下表面涂布荧光粉层（31）；

步骤七、在型腔（21）内填满填充胶（4），并将上述带有荧光粉层（31）的玻璃（3）与硅基载体（2）通过填充胶（4）键合；

步骤八、对上述硅基载体（2）的背面进行减薄至下一工艺需要的厚度；

步骤九、利用光刻、刻蚀的方法去除上述硅基载体（2）背面的硅和部分连结胶（13），并形成硅孤岛（22）；

步骤十、在上述硅基载体（2）的背面用光刻、刻蚀的方法形成感光树脂层Ⅰ（61）；

步骤十一、利用光刻、电镀的方法在上述感光树脂层Ⅰ（61）的背面形成再布线金属层（71）和在硅孤岛（22）的下表面形成金属块（72），再布线金属层（71）与电极Ⅰ（121）、电极Ⅱ（122）连接； 

步骤十二、在上述封装体的下表面涂布感光树脂层Ⅱ（62），利用光刻、刻蚀的方法形成感光树脂开口（621），露出金属块（72）和再布线金属层（71）的部分区域。

2.根据权利要求1所述的一种圆片级LED封装方法，其特征在于：在步骤三和步骤九中，对硅基载体（2）的刻蚀采用干法或湿法刻蚀。

3.根据权利要求1所述的一种圆片级LED封装方法，其特征在于：在步骤六中，所述玻璃（3）上荧光粉层（31）的涂布采用喷涂或旋涂的方式。

4.根据权利要求1所述的一种圆片级LED封装方法，其特征在于：在步骤七中，所述填充胶（4）的设置采用印刷或点胶的方式，并且键合过程在真空条件下进行。