[发明专利]GaN基发光二极管、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201210305178.8 | 申请日： | 2012-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN103633206A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 梁秉文 | 申请（专利权）人： | 苏州纳方科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 发明公开了一种GaN基发光二极管、其制备方法及应用。该发光二极管包括顺次叠设的第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层，其中，第一N型GaN层生长在第一衬底上或第二N型GaN层连接在第二衬底上，以及第一或第二N型GaN层上还连接有透明导电层；其制备方法为：在第一衬底上生长设定缓冲层，再依次生长形成前述结构层；其后在第二N型GaN层上连接透明导电层，或者在第二N型GaN层上连接第二衬底，而将第一衬底剥离，并在第一N型GaN层上连接透明导电层。本发明半导体材料层的厚度小，生长时间短，生产效率高，且与透明导电电极接触的N型GaN层无需重掺杂，降低因为前述结构层重掺杂而对光的吸收，产品良率和发光效率高。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种GaN基发光二极管，其特征在于，它包括在选定缓冲层上顺次叠设的第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层，其中，所述第一N型GaN层生长在第一衬底上或所述第二N型GaN层连接在第二衬底上，以及，所述第一N型GaN层或第二N型GaN层上还连接有透明导电层。
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