[发明专利]GaN基发光二极管、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种GaN基发光二极管，其特征在于，它包括在选定缓冲层上顺次叠设的第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层，

其中，所述第一N型GaN层生长在第一衬底上或所述第二N型GaN层连接在第二衬底上，

以及，所述第一N型GaN层或第二N型GaN层上还连接有透明导电层。

2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述第一N型GaN层为N型掺杂GaN层，且其掺杂浓度于临近P型GaN层处最大。

3.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述P型GaN层为P型掺杂GaN层，且其掺杂浓度于临近第一N型GaN层处最大。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述P型GaN层与多量子阱有源层之间还设有P型Al GaN层。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述N型GaN层与多量子阱有源层之间还设有N型Al GaN层。

6.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述第二N型GaN层粘接或键合在所述第二衬底上。

7.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管，其特征在于，

所述第一衬底至少选自蓝宝石衬底、Si衬底、SiC衬底和GaN衬底中的任意一种；

所述第二衬底至少选自Si衬底、金属衬底、氮化铝衬底中的任意一种，且所述第二衬底还具有反光层结构。

8.如权利要求1-7中任一项所述GaN基发光二极管的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：

（1）提供一第一衬底；

（2）在所述第一衬底上依次生长形成第一N型GaN层、P型GaN层、多量子阱有源层以及第二N型GaN层；

（3）在第二N型GaN层上连接透明导电层，

或者，将第一衬底剥离，并在第二N型GaN层上连接第二衬底，以及在第一N型GaN层上连接透明导电层。

9.根据权利要求8所述GaN基发光二极管的制备方法，其特征在于，该方法中，步骤（2）具体为：

a）在第一衬底上生长选定缓冲层之后，再生长N型掺杂GaN层作为第一N型GaN层，且其掺杂浓度于临近P型GaN层处最大；

b）在所述第一N型GaN层上生长P型掺杂GaN层，且其掺杂浓度于临近第一N型GaN层处最大；

c）在所述P型掺杂GaN层上生长P型Al GaN层；

d）在所述P型Al GaN层上生长多量子阱有源层；

e）在所述多量子阱有源层上生长N型Al GaN层；

e）在所述N型Al GaN层上生长N型掺杂GaN层，且其掺杂浓度为5×10¹⁷～2×10¹⁸。

10.一种发光装置，其特征在于，它包括如权利要求1-7中任一项所述的GaN基发光二极管或按照权利要求8-9中任一项方法制备的GaN基发光二极管。