[发明专利]待清洗硅片的保存方法无效
申请号: | 201210298435.X | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN102810602A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 石坚;孙志刚;刘茂华;韩子强 | 申请(专利权)人: | 安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人: | 王好勤 |
地址: | 456400 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种待清洗硅片的保存方法,涉及硅片清洗技术,硅片切片后立即离开切片机及砂浆液,并且立即放入已经准备好的乙醇溶液中;所述乙醇溶液的体积浓度或重量浓度为≥10%。进一步:所述乙醇溶液温度应保持在20至70摄氏度。本发明的有益效果是:此方法可以轻松的使硅片保持切片结束时的状态,使待清洗硅片易于保存,并且不会再硅片表面引入其他杂质,不会使硅片由于长时间得不到清洗而造成表面脏污难于去除,提高了清洗的效率及效果。 | ||
搜索关键词: | 清洗 硅片 保存 方法 | ||
【主权项】:
待清洗硅片的保存方法,其特征在于:硅片切片后立即离开切片机及砂浆液,并且立即放入已经准备好的乙醇溶液中;所述乙醇溶液的体积浓度或重量浓度为≥10%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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