[发明专利]待清洗硅片的保存方法无效
| 申请号： | 201210298435.X | 申请日： | 2012-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102810602A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 石坚;孙志刚;刘茂华;韩子强 | 申请（专利权）人： | 安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人： | 王好勤 |
| 地址： | 456400 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 硅片 保存 方法 | ||
【权利要求书】：
1.待清洗硅片的保存方法，其特征在于：硅片切片后立即离开切片机及砂浆液，并且立即放入已经准备好的乙醇溶液中；所述乙醇溶液的体积浓度或重量浓度为≥10%。
2.根据权利要求1所述的待清洗硅片的保存方法，其特征在于：所述硅片切片后离开切片机及砂浆液，并放入乙醇溶液中的时间，控制在30分钟内。
3.根据权利要求1或2所述的待清洗硅片的保存方法，其特征在于：所述乙醇溶液的温度为20－70摄氏度。
4.根据权利要求1或2所述的待清洗硅片的保存方法，其特征在于：所述乙醇溶液的温度为30－60摄氏度。
5.根据权利要求1或2所述的待清洗硅片的保存方法，其特征在于：所述乙醇溶液的温度为室温状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
