[发明专利]待清洗硅片的保存方法无效
申请号: | 201210298435.X | 申请日: | 2012-08-21 |
公开(公告)号: | CN102810602A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 石坚;孙志刚;刘茂华;韩子强 | 申请(专利权)人: | 安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人: | 王好勤 |
地址: | 456400 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 硅片 保存 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能级硅片的制造技术领域,特别涉及硅片清洗技术。
背景技术
太阳能级硅片切片后会有很多待清洗硅片,目前待清洗硅片的处理方法为:放置于砂浆液中或者暴露于空气中。
而由于清洗设备不稳定或者断电等原因,会使得硅片长时间浸泡在砂浆液中或者暴露在空气中,造成硅片表面脏污氧化或者沉淀,造成在后段清洗中很难或者无法清除,因此,研究一种有效的解决方法,是很有必要的。本方法可以防止难于清洗脏污的形成,保证硅片的清洗效率及效果。
发明内容
本发明的目的是提供一种待清洗硅片的保存方法,此方法可以轻松的使硅片保持切片结束时的状态,使待清洗硅片易于保存,并且不会再硅片表面引入其他杂质,不会使硅片由于长时间得不到清洗而造成表面脏污难于去除,提高了清洗的效率及效果。
为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
待清洗硅片的保存方法,其特征在于:硅片切片后立即离开切片机及砂浆液,并且立即放入已经准备好的乙醇溶液中;所述乙醇溶液的体积浓度或重量浓度为≥10%。
其中:
所述硅片切片后离开切片机及砂浆液,并放入乙醇溶液中的时间,控制在30分钟内,进一步控制在15分钟以内,最佳控制在5分钟以内。
所述乙醇溶液温度可选择保持在20-70摄氏度,进一步是30-60摄氏度;也可以是室温状态。
本发明的有益效果是:此方法可以轻松的使硅片保持切片结束时的状态,使待清洗硅片易于保存,并且不会再硅片表面引入其他杂质,不会使硅片由于长时间得不到清洗而造成表面脏污难于去除,提高了清洗的效率及效果。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案,并使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例:
首先硅片在切片后应该立即将硅片从切片机及砂浆液中取出,取出后不可长时间暴露于空气中,即从切片后计时起,要在30分钟内放入配制好的乙醇溶液中,配制时,用乙醇的含量为97%,加纯水水配制成乙醇溶液,其体积浓度(或重量浓度)大于或等于10%以上,并且保证溶液温度在20至70摄氏度,将硅片放入溶液中保存。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚,未经安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的