[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210298136.6 | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103390648A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈柏羽;黄婉华;陈晶盈;吴国铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构，包括设置在衬底上的栅极结构。至少一个轻掺杂区与位于衬底中的栅极结构邻接。至少一个轻掺杂区具有第一导电类型。源极部件和漏极部件位于在衬底中的栅极结构的相对侧上。源极部件和漏极部件具有第一导电类型。源极部件位于至少一个轻掺杂区中。降压拾取区与至少一个轻掺杂区中的源极部件邻接。降压拾取区具有第二导电类型。本发明还公开了半导体结构的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一栅极结构，设置在衬底上；至少一个轻掺杂区，具有第一导电类型，并且与位于所述衬底中的所述栅极结构邻接；源极部件和漏极部件，具有所述第一导电类型，并且位于所述衬底中的所述栅极结构的相对侧，其中，所述源极部件位于所述至少一个轻掺杂区中；以及第一降压拾取区，具有第二导电类型，并且与位于所述至少一个轻掺杂区中的所述源极部件邻接。
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