[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210298136.6 | 申请日： | 2012-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103390648A | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈柏羽;黄婉华;陈晶盈;吴国铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
第一栅极结构，设置在衬底上；
至少一个轻掺杂区，具有第一导电类型，并且与位于所述衬底中的所述栅极结构邻接；
源极部件和漏极部件，具有所述第一导电类型，并且位于所述衬底中的所述栅极结构的相对侧，其中，所述源极部件位于所述至少一个轻掺杂区中；以及
第一降压拾取区，具有第二导电类型，并且与位于所述至少一个轻掺杂区中的所述源极部件邻接。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括与所述源极部件邻接并与所述第一降压拾取区相对的第二降压拾取区。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一降压拾取区和所述第二降压拾取区间隔约0.2μm至约10μm范围内的距离W。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一降压拾取区的深度DP基本上大于所述至少一个轻掺杂区的深度DL。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一降压拾取区包括约1E15至5E15原子/平方厘米的剂量范围内的硼。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括设置在所述源极部件和所述第一降压拾取区上的自对准多晶硅化物层。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中，所述自对准多晶硅化物层延伸进所述衬底中达深度DS，并且所述深度DS大于所述至少一个轻掺杂区的深度DL。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，进一步包括设置在所述自对准多晶硅化物层上的接触塞。
9.一种半导体结构，包括：
第一栅极结构和相邻的第二栅极结构，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构设置在衬底上；
阱区，设置在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述衬底中，所述阱区具有第一导电类型；
轻掺杂区，设置在所述阱区中，所述轻掺杂区具有第二导电类型；
重掺杂区，设置在所述轻掺杂区中，所述重掺杂区具有所述第二导电类型；以及
第一降压拾取区，与位于所述轻掺杂区中的所述重掺杂区邻接，所述第一降压拾取区具有所述第一导电类型。
10.一种形成半导体结构的方法，所述方法包括：
将栅极结构形成在衬底上；
形成与位于所述衬底中的所述栅极结构邻接的至少一个轻掺杂区，所述至少一个轻掺杂区具有第一导电类型；
在所述至少一个轻掺杂区中形成具有第二导电类型的第一降压拾取区；以及
将具有所述第一导电类型的源极部件和漏极部件形成在所述栅极结构的相对侧上，其中，所述源极部件位于所述至少一个轻掺杂区中并与所述第一降压拾取区邻接。
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