[发明专利]一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法，属于CMOS集成电路技术领域。该CMOS器件包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两部分，所述介质保护区一的高度等于垂直沟道长度，以有源硅台中轴线为中心，介质保护区一的边缘距离沟道外侧为20～100nm；同时在衬底上的源区或漏区的下方设有介质保护区二，该介质保护区二的长度与源区或漏区的长度相等，所述介质保护区二的高度为10～50nm。本发明由于增加介质保护区，可有效隔断器件源区和漏区收集电荷的路径，改善了器件的单粒子特性。

主权项

一种CMOS器件，包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道的上方设有源区，所述漏区设置在衬底上位于垂直沟道的两侧；或者在垂直沟道的上方设有漏区，所述源区设置在衬底上位于垂直沟道的两侧；在垂直沟道的两侧设有栅介质和栅侧墙，其特征在于，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两部分，所述介质保护区一的高度等于垂直沟道长度，以有源硅台中轴线为中心，介质保护区一的边缘距离沟道外侧为20～100nm；同时在衬底上的源区或漏区的下方设有介质保护区二，该介质保护区二的长度与源区或漏区的长度相等，所述介质保护区二的高度为10～50nm。