[发明专利]一种抗辐射的CMOS器件及其制备方法

权利要求书

1.一种CMOS器件，包括衬底、源区、漏区以及位于衬底上的垂直沟道，在垂直沟道的上方设有源区，所述漏区设置在衬底上位于垂直沟道的两侧；或者在垂直沟道的上方设有漏区，所述源区设置在衬底上位于垂直沟道的两侧；在垂直沟道的两侧设有栅介质和栅侧墙，其特征在于，在垂直沟道内增加一介质保护区一，该介质保护区一位于垂直沟道中央，将垂直沟道分为两部分，所述介质保护区一的高度等于垂直沟道长度，以有源硅台中轴线为中心，介质保护区一的边缘距离沟道外侧为20～100nm；同时在衬底上的源区或漏区的下方设有介质保护区二，该介质保护区二的长度与源区或漏区的长度相等，所述介质保护区二的高度为10～50nm。

2.如权利要求1所述的CMOS器件，其特征在于，对于NMOS器件，介质保护区使用的材料为易陷入电子的材料；对于PMOS器件，介质保护区使用的材料为易陷入空穴的材料。

3.如权利要求1所述的CMOS器件的方法，包括以下步骤：

1）准备半导体衬底；

2）在衬底热氧化形成第一二氧化硅层，再淀积第一氮化硅层和第二二氧化硅层；光刻、刻蚀掉第二二氧化硅层和第一氮化硅层，再腐蚀第一二氧化硅层，刻蚀后使第一二氧化硅层与第一氮化硅层存在微小的台阶；刻蚀半导体衬底，形成半导体台阶；

3）再次热氧化形成第三二氧化硅层，淀积形成第二氮化硅层和第四二氧化硅层，刻蚀、局部场区氧化，形成器件隔离区；

4）淀积第五二氧化硅层作为缓冲层，进行离子注入，使沟道中离子浓度分布均匀；

5）淀积第三氮化硅层和第六二氧化硅层后，以第三氮化硅层和第六二氧化硅层为硬掩膜，第二次刻蚀有源区半导体台阶；

6）淀积介质保护区材料并刻蚀；

7）淀积第一多晶硅层，平坦化；

8）第三次刻蚀有源区半导体平台，离子注入，形成器件的源漏区；

9）热氧化第七二氧化硅层，淀积第二多晶硅层，离子注入，光刻栅线条，刻蚀后形成多晶硅栅电极和栅侧墙。