[发明专利]双凹沟槽式肖特基势垒元件

摘要

一种肖特基势垒元件，包括半导体基材、第一接触金属层、第二接触金属层和氧化层。半导体基材具有相对的第一表面和第二表面，于第一表面处具有多个沟槽，每沟槽包括第一凹槽具有第一深度和第二凹槽具有第二深度，第二凹槽自第一表面向下延伸，第一凹槽于第二凹槽中往下延伸，使第一深度大于第二深度。第一接触金属层，至少形成于第二凹槽。第二接触金属层形成于相邻两沟槽之间的第一表面上。氧化层形成于第一凹槽。其中，第一接触金属层与半导体基材形成第一肖特基势垒，第二接触金属层与半导体基材形成第二肖特基势垒，第一肖特基势垒大于第二肖特基势垒。采用本发明，可良好夹止反向漏电流与提高元件可靠度。

主权项

一种肖特基势垒元件，其特征在于，包括：半导体基材，具有相对的第一表面和第二表面，于该第一表面处具有多个沟槽，每该沟槽包括第一凹槽和第二凹槽，该第一凹槽具有第一深度，该第二凹槽具有第二深度，该第二凹槽自该第一表面向下延伸，该第一凹槽于该第二凹槽中往下延伸，该第一深度大于该第二深度；第一接触金属层，至少形成于该第二凹槽的表面；第二接触金属层，形成于相邻两该沟槽之间的该第一表面上；和氧化层，形成于该第一凹槽的表面，其中，该第一接触金属层与该半导体基材形成第一肖特基势垒，该第二接触金属层与该半导体基材形成第二肖特基势垒，该第一肖特基势垒大于该第二肖特基势垒。