[发明专利]双凹沟槽式肖特基势垒元件有效
| 申请号： | 201210275461.0 | 申请日： | 2012-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN103515451A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 颜诚廷;陈永祥;洪建中;李传英 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 式肖特基势垒 元件 | ||
1.一种肖特基势垒元件，其特征在于，包括：
半导体基材，具有相对的第一表面和第二表面，于该第一表面处具有多个沟槽，每该沟槽包括第一凹槽和第二凹槽，该第一凹槽具有第一深度，该第二凹槽具有第二深度，该第二凹槽自该第一表面向下延伸，该第一凹槽于该第二凹槽中往下延伸，该第一深度大于该第二深度；
第一接触金属层，至少形成于该第二凹槽的表面；
第二接触金属层，形成于相邻两该沟槽之间的该第一表面上；和
氧化层，形成于该第一凹槽的表面，
其中，该第一接触金属层与该半导体基材形成第一肖特基势垒，该第二接触金属层与该半导体基材形成第二肖特基势垒，该第一肖特基势垒大于该第二肖特基势垒。
2.根据权利要求1所述的肖特基势垒元件，其特征在于，该半导体基材的材料包括碳化硅或氮化镓。
3.根据权利要求1所述的肖特基势垒元件，其特征在于，该第一接触金属层延伸覆盖该第二接触金属层。
4.根据权利要求1所述的肖特基势垒元件，其特征在于，该第一接触金属层延伸覆盖该氧化层。
5.根据权利要求1所述的肖特基势垒元件，其特征在于，该第一接触金属层延伸覆盖该第二接触金属层，以及延伸覆盖该氧化层。
6.根据权利要求1所述的肖特基势垒元件，其特征在于，该第一凹槽的底部为圆弧形。
7.根据权利要求1所述的肖特基势垒元件，其特征在于，该第一接触金属层的材料包括镍、金、白金、钯、铒、或铽、或含前述金属的合金或其金属硅化物。
8.根据权利要求1所述的肖特基势垒元件，其特征在于，该第二接触金属层的材料包括钛、钼、铝、镁、钨或银、或含前述金属的合金或其金属硅化物。
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