[发明专利]光伏装置无效

专利信息
申请号: 201210273503.7 申请日: 2012-08-02
公开(公告)号: CN103035779A 公开(公告)日: 2013-04-10
发明(设计)人: 金英水;李斗烈;金永镇;牟灿滨;朴映相 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王占杰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了一种光伏装置及其制造方法。这里,在半导体基底的表面上形成基极部分和发射体部分。在基极部分和发射体部分上形成绝缘层。绝缘层具有多个通孔,以部分地暴露基极部分和发射体部分。第一电极被形成为通过至少一个通孔接触发射体部分的区域,第二电极被形成为通过至少另一个通孔接触基极部分的区域。然后,在第二电极的汇流电极部分处设置切割线,并沿着切割线在基极部分处将半导体基底分为至少两个光伏装置。
搜索关键词: 装置
【主权项】:
一种制造光伏装置的方法,所述方法包括下述步骤:形成具有第一表面和第二表面的半导体基底,所述第二表面相对地背离所述第一表面;在所述第一表面处形成基极部分和发射极部分;在所述基极部分和所述发射体部分上形成绝缘层;在所述绝缘层中形成多个通孔,以部分地暴露所述基极部分和所述发射体部分;形成第一电极,以通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域;形成第二电极,以通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域;在所述基极部分处设置切割线;以及沿所述切割线切割所述半导体基底。
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