[发明专利]光伏装置无效
申请号: | 201210273503.7 | 申请日: | 2012-08-02 |
公开(公告)号: | CN103035779A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 金英水;李斗烈;金永镇;牟灿滨;朴映相 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种光伏装置及其制造方法。这里,在半导体基底的表面上形成基极部分和发射体部分。在基极部分和发射体部分上形成绝缘层。绝缘层具有多个通孔,以部分地暴露基极部分和发射体部分。第一电极被形成为通过至少一个通孔接触发射体部分的区域,第二电极被形成为通过至少另一个通孔接触基极部分的区域。然后,在第二电极的汇流电极部分处设置切割线,并沿着切割线在基极部分处将半导体基底分为至少两个光伏装置。 | ||
搜索关键词: | 装置 | ||
【主权项】:
一种制造光伏装置的方法,所述方法包括下述步骤:形成具有第一表面和第二表面的半导体基底,所述第二表面相对地背离所述第一表面;在所述第一表面处形成基极部分和发射极部分;在所述基极部分和所述发射体部分上形成绝缘层;在所述绝缘层中形成多个通孔,以部分地暴露所述基极部分和所述发射体部分;形成第一电极,以通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域;形成第二电极,以通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域;在所述基极部分处设置切割线;以及沿所述切割线切割所述半导体基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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