[发明专利]光伏装置

说明书

本申请要求于2011年10月6日在美国专利商标局提交的第61/544,111号美国临时申请的权益和优先权，上述申请的全部公开内容通过引用包含于此。

技术领域

本发明的一个或多个实施例涉及光伏装置。

背景技术

为了制造光伏装置，通过将n型杂质（或p型杂质）掺杂到p型基底（或n型基底）中来形成p-n结，因此，形成发射极。经由光的接收而形成的电子-空穴对被分开。这里，通过n型区域中的电极收集电子，而通过p型区域中的电极收集空穴。因此，产生电力。

光伏装置可以具有这样的结构，即，电极分别布置在作为光接收表面的前表面上以及布置在后表面上。这里，如果电极布置在前表面上，则接收光的面积减少了多达电极的面积。为了解决面积减小问题，采用电极仅布置在基底的后表面上的背接触式结构。

发明内容

本发明的实施例的多个方面涉及光伏装置和制造所述光伏装置的方法。

本发明的实施例的一方面涉及一种制造光伏装置的方法，其中，在半导体基底的基极部分处（即，在半导体晶片的基极部分处）设置切割线，并沿切割线切割半导体基底。

本发明的实施例的一方面涉及一种光伏装置，所述光伏装置具有接触光伏装置的发射体部分的区域的第一电极和接触光伏装置的基极部分的区域的第二电极。这里，第二电极是被切割的电极，光伏装置在其发射体部分处仅具有两个被修整的角部分。

本发明的实施例提供了一种制造光伏装置的方法。所述方法包括：形成具有第一表面和第二表面的半导体基底，所述第二表面相对地背离所述第一表面；在所述第一表面处形成基极部分和发射体部分；在所述基极部分和所述发射体部分上形成绝缘层；在所述绝缘层中形成多个通孔，以部分地暴露所述基极部分和所述发射体部分；形成第一电极，以通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域；形成第二电极，以通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域；在所述基极部分处设定切割线；以及沿所述切割线切割所述半导体基底。

在一个实施例中，设定切割线的步骤包括：在所述基极部分处并远离所述发射体部分设定所述切割线；以及切割半导体基底的步骤包括：在所述半导体基底的远离所述发射体部分的区域处切割所述半导体基底。

在一个实施例中，形成第一电极的步骤包括：形成包括第一汇流条和从所述第一汇流条延伸的多个第一指状电极的第一电极；以及形成第二电极的步骤包括：形成包括第二汇流条和多个第二指状电极的第二电极，所述第二汇流条被布置为横跨所述第一表面的中心延伸，所述多个第二指状电极从所述第二汇流条延伸并与所述第一指状电极彼此相间。另外，在基极部分处设定切割线的步骤可以包括：形成横跨所述第二汇流条的中心延伸的开口，以成为所述切割线。

在一个实施例中，形成半导体基底的步骤包括：从单个半导体晶片通过修整所述半导体晶片的至少两个角部分来形成所述半导体基底。这里，可以从所述单个半导体晶片形成多个光伏装置。另外，形成第一电极的步骤可以包括：在每个光伏装置中形成在每个光伏装置中包括第一汇流条和从所述第一汇流条延伸的多个第一指状电极的第一电极；以及形成第二电极的步骤可以包括：在每个光伏装置中形成包括第二汇流条和从所述第二汇流条延伸的多个第二指状电极的第二电极。

在一个实施例中，所述方法还包括：在所述半导体基底的所述第二表面处形成钝化层和减反射层中的至少一个。

在一个实施例中，所述方法还包括：将所述半导体基底的所述第二表面纹理化。

在一个实施例中，所述基极部分和所述发射体部分中的每个被形成为具有条形状。

在一个实施例中，所述基极部分和所述发射体部分中的每个被形成为多个离散区域。这里，每个离散区域可以具有点形、椭圆形、圆形或多边形形状。

在一个实施例中，所述第二表面被形成为配置成面对光源的前表面，所述第一表面被形成为配置成背离所述光源的后表面。

本发明的实施例提供了一种光伏装置。所述光伏装置包括：半导体基底，具有第一表面和第二表面，所述第二表面相对地背离所述第一表面；基极部分和发射体部分，位于所述第一表面处；绝缘层，位于所述基极部分和所述发射体部分上，所述绝缘层具有多个通孔；第一电极，通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域；以及第二电极，通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域。这里，所述第二电极是被切割的电极，所述半导体基底在所述发射体部分处仅具有两个修整的角部分。

在一个实施例中，所述半导体基底由半导体晶片形成，并且是所述半导体晶片的尺寸的大约一半（1/2）。这里，所述第二电极的一部分可以横跨所述半导体晶片的中心延伸。