[发明专利]光伏装置

权利要求书

1.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括下述步骤：

形成具有第一表面和第二表面的半导体基底，所述第二表面相对地背离所述第一表面；

在所述第一表面处形成基极部分和发射极部分；

在所述基极部分和所述发射体部分上形成绝缘层；

在所述绝缘层中形成多个通孔，以部分地暴露所述基极部分和所述发射体部分；

形成第一电极，以通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域；

形成第二电极，以通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域；

在所述基极部分处设置切割线；以及

沿所述切割线切割所述半导体基底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

设置切割线的步骤包括：在所述基极部分处并远离所述发射体部分设置所述切割线；以及

切割半导体基底的步骤包括：在所述半导体基底的远离所述发射体部分的区域处切割所述半导体基底。

3.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成第一电极的步骤包括：形成包括第一汇流条和从所述第一汇流条延伸的多个第一指状电极的第一电极；以及

形成第二电极的步骤包括：形成包括第二汇流条和多个第二指状电极的第二电极，所述第二汇流条被布置为横跨所述第一表面的中心延伸，所述多个第二指状电极从所述第二汇流条延伸并与所述第一指状电极彼此相间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在基极部分处设置切割线的步骤包括：形成横跨所述第二汇流条的中心延伸的开口，以成为所述切割线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成半导体基底的步骤包括：从单个半导体晶片通过修整所述半导体晶片的至少两个角部分来形成所述半导体基底。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，从所述单个半导体晶片形成多个光伏装置。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

形成第一电极的步骤包括：在每个光伏装置中形成在每个光伏装置中包括第一汇流条和从所述第一汇流条延伸的多个第一指状电极的第一电极；以及

形成第二电极的步骤包括：在每个光伏装置中形成包括第二汇流条和从所述第二汇流条延伸的多个第二指状电极的第二电极。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括下述步骤：

在所述半导体基底的所述第二表面处形成钝化层和减反射层中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括下述步骤：

将所述半导体基底的所述第二表面纹理化。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基极部分和所述发射体部分中的每个被形成为具有条形状。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基极部分和所述发射体部分中的每个被形成为多个离散区域。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，每个离散区域具有点形、椭圆形、圆形或多边形形状。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二表面被形成为构造成面对光源的前表面，所述第一表面被形成为构造成背离所述光源的后表面。

14.一种光伏装置，所述光伏装置包括：

半导体基底，具有第一表面和第二表面，所述第二表面相对地背离所述第一表面；

基极部分和发射体部分，位于所述第一表面处；

绝缘层，位于所述基极部分和所述发射体部分上，所述绝缘层具有多个通孔；

第一电极，通过至少一个通孔接触所述发射体部分的区域；以及

第二电极，通过至少另一个通孔接触所述基极部分的区域，

其中，所述第二电极是切割电极；以及

其中，所述半导体基底在所述发射体部分处仅具有两个被修整的角部分。

15.根据权利要求14所述的光伏装置，其中，所述半导体基底由半导体晶片形成，并且是所述半导体晶片的尺寸的一半。

16.根据权利要求15所述的光伏装置，其中，所述第二电极的一部分横跨所述半导体晶片的中心延伸。