[发明专利]一种减少化学气相沉积过程中杂质沉积的装置及方法

摘要

本发明公开了一种减少化学气相沉积过程中杂质沉积的装置及方法。该装置包括反应室、基底、基底安装机构、抽气系统、以及固定在反应室内的水冷支撑台和等离子体激发源；水冷支撑台固定在反应室上端，且台面朝下；基底的上表面通过基底安装机构与水冷支撑台的台面固定相连；抽气系统位于水冷支撑台的上部；等离子体激发源固定在反应室下端，且与基底的下表面相对。本发明化学气相沉积方法通过设置在下方的等离子体激发源激发出的等离子体由下而上流动，从而在上方的基底长膜端面上生长出薄膜。本发明能有效减少化学气相沉积过程中的在薄膜中产生杂质，提高薄膜质量。

主权项

一种减少化学气相沉积过程中杂质沉积的装置，包括反应室、基底、抽气系统、以及固定在反应室内的水冷支撑台和等离子体激发源；其特征在于：所述装置还包括基底安装机构；所述水冷支撑台固定在所述反应室上端，且台面朝下；抽气系统位于水冷支撑台的上部；所述基底的上表面通过基底安装机构与水冷支撑台的台面固定相连；所述等离子体激发源固定在所述反应室下端，且与所述基底的下表面相对。