[发明专利]一种减少化学气相沉积过程中杂质沉积的装置及方法

权利要求书

1.一种减少化学气相沉积过程中杂质沉积的装置，包括反应室、基底、抽气系统、以及固定在反应室内的水冷支撑台和等离子体激发源；其特征在于：所述装置还包括基底安装机构；所述水冷支撑台固定在所述反应室上端，且台面朝下；抽气系统位于水冷支撑台的上部；所述基底的上表面通过基底安装机构与水冷支撑台的台面固定相连；所述等离子体激发源固定在所述反应室下端，且与所述基底的下表面相对。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：所述装置还包括薄膜承接机构；所述薄膜承接机构可抽拉或可转动地与所述反应室相连，且设于所述基底下方。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于：所述薄膜承接机构为网状挡板。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于：所述薄膜承接机构采用高温陶瓷或耐高温金属材料。

5.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于：所述基底安装机构为高温磁铁；所述高温磁铁设于水冷支撑台内；所述基底采用导磁材料，通过磁力吸引将所述基底与水冷支撑台固定相连。

6.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于：所述基底安装机构为机械夹持装置或电磁吸引装置。

7.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于：所述等离子体激发源为热丝阵列或等离子体炬。

8.一种采用权利要求1或2所述装置进行化学气相沉积的方法，其特征在于：通过设置在下方的等离子体激发源激发出的等离子体由下而上流动，从而使薄膜沉积在上方的基底的下表面上。

9.一种采用权利要求2所述装置进行化学气相沉积的方法，其特征在于：所述沉积完成后，通过所述薄膜承接机构承接落下的薄膜。