[发明专利]具有防电磁波干扰的半导体组件有效
| 申请号： | 201210264661.6 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103579197A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 宋泽世;江文荣;李信宏 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有防电磁波干扰的半导体组件，包括：基材，其具有贯穿的第一与第二导电穿孔；线路重布层，其形成于该基材上且具有电性连接垫；以及金属层，其形成于该线路重布层上且具有开口，以令该些电性连接垫位于该开口内而未电性连接该金属层，而令该第二导电穿孔与该金属层构成屏蔽结构，以避免电磁波由该线路重布层或该半导体组件的侧面进出而发生EMI现象。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电磁波 干扰 半导体 组件 | ||
【主权项】：
一种具有防电磁波干扰的半导体组件，其包括：一基材，其具有相对的第一表面与第二表面，且该基材中具有连通该第一及第二表面的多个第一导电穿孔与多个第二导电穿孔；一线路重布层，其形成于该基材的第一表面上，且具有多个电性连接垫，该电性连接垫电性导通该第一导电穿孔；以及一第一金属层，其形成于该线路重布层上且电性导通该第二导电穿孔，使该第二导电穿孔与该第一金属层构成屏蔽结构，且该第一金属层具有多个第一开口，以令该电性连接垫位于该第一开口内而未电性连接该第一金属层。
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