[发明专利]具有防电磁波干扰的半导体组件

权利要求书

1.一种具有防电磁波干扰的半导体组件，其包括：

一基材，其具有相对的第一表面与第二表面，且该基材中具有连通该第一及第二表面的多个第一导电穿孔与多个第二导电穿孔；

一线路重布层，其形成于该基材的第一表面上，且具有多个电性连接垫，该电性连接垫电性导通该第一导电穿孔；以及

一第一金属层，其形成于该线路重布层上且电性导通该第二导电穿孔，使该第二导电穿孔与该第一金属层构成屏蔽结构，且该第一金属层具有多个第一开口，以令该电性连接垫位于该第一开口内而未电性连接该第一金属层。

2.根据权利要求1所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该半导体组件作为第一半导体组件，且还包括与该第一半导体组件的结构相同的第二半导体组件，该第二半导体组件以其基材的第二表面的一侧接置于该第一半导体组件具该第一金属层的一侧上，以成为一半导体堆栈结构。

3.根据权利要求1所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该些电性连接垫接置至少一电子组件。

4.根据权利要求3所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该电子组件为主动组件、被动组件或中介板。

5.根据权利要求1、2或3所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该些第二导电穿孔排列成环形，以包围该些第一导电穿孔。

6.根据权利要求1、2或3所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该半导体组件还包括一绝缘保护层，其形成于该线路重布层与该第一金属层上，且外露该些电性连接垫。

7.根据权利要求6所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该绝缘保护层外露该第一金属层的部分表面。

8.根据权利要求1、2或3所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该半导体组件还包括一线路增层结构，其形成于该基材的第二表面上，且具有多个电性接触垫，该电性接触垫电性导通该第一导电穿孔。

9.根据权利要求8所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该半导体组件还包括一第二金属层，其形成于该线路增层结构上且电性导通该第二导电穿孔，使该屏蔽结构还具有该第二金属层，且该第二金属层具有多个第二开口，以令该电性接触垫位于该第二开口内而未连接该第二金属层。

10.根据权利要求9所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该半导体组件还包括一绝缘保护层，其形成于该线路增层结构与该第二金属层上，且外露该些电性接触垫。

11.根据权利要求10所述的具有防电磁波干扰的半导体组件，其特征在于，该绝缘保护层外露该第二金属层的部分表面。