[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201210260931.6 | 申请日： | 2012-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN102769040A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 张学辉;刘翔;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L23/528;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置。本发明薄膜晶体管包括基板，以及在基板上依次形成的栅极层、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层；电极金属层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极互相隔离，之间为沟道区域；所述栅极层和基板之间有第一透明导电层；所述有源层和电极金属层之间有第二透明导电层。本发明中的薄膜晶体管在基板和栅极金属层之间、有源层和电极金属层之间增加了透明导电层，增强了栅金属层与基板之间的附着力，阻止了电极金属向有源层的扩散，提高了产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】：
薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层；电极金属层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极互相隔离，之间为沟道区域；其特征在于，所述有源层和电极金属层之间形成有第二透明导电层。
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