[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。对于TFT-LCD来说，薄膜晶体管阵列基板以及制造工艺决定了其产品性能、成品率和价格。普通的TN（Twisted Nematic，扭曲向列）型液晶显示器的显示效果已经不能满足市场的需求。目前，各大厂商正逐渐将显示效果更优良的各种广视角技术应用于移动性产品中，比如IPS（In-Plane Switching，共面转换）、VA（Vertical Alignment，垂直配向）、AD-SDS（Advanced-Super Dimensional Switching，高级超维场开关，简称为ADS）等广视角技术。在ADS模式下，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。

由于电极材料电阻的减小，降低了电阻/电容时间延迟（RC延迟），提高了开口率，而且，驱动方式可由两侧驱动变为单侧驱动，因此驱动IC的数量可减半。因此，在液晶面板高速发展的同时，业界需要开发低电阻的电极材料。当使用低电阻材料作为电极材料时，存在以下问题：低电阻材料（例如铜，铜的电阻仅为2μΩ·cm，作为电极材料显示出了巨大的优越性）与基板及半导体附着力小，容易造成电极材料的接触不良；在较低温度下会与Si发生反应，扩散至有源层，从而影响器件性能。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：提供一种可解决低电阻材料向有源层层扩散以及与基板和半导体材料附着力差等技术问题的薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层；电极金属层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极互相隔离，之间为沟道区域；所述有源层和电极金属层之间形成有第二透明导电层。

其中，所述栅极和基板之间形成有第一透明导电层。

其中，所述栅极与电极金属层的材料为铜；所述第一透明导电层与栅极之间和/或第二透明导电层与电极金属层之间分别形成有一层金属层，所述金属层的材料为钼、铝、钕、钛或者其合金中的一种。

其中，所述有源层为非晶硅或氧化物半导体材料。

其中，所述第一透明导电层和/或第二透明导电层为锌氧化物，铟锡氧化物、铟锌氧化物、聚乙撑二氧噻吩或石墨烯材料。

本发明还提供了一种薄膜晶体管的制作方法，其包括如下步骤：

在基板上形成栅极；

在所述栅极上形成栅绝缘层和有源层；

在所述栅绝缘层和有源层上形成第二透明导电层，以及位于第二透明导电层上彼此隔开的源电极和漏电极；

在所述源电极和漏电极、以及第二透明导电层上形成钝化层。

其中，在基板上形成栅极步骤中，包括：在基板上先形成第一透明导电层，作为栅极和基板之间的增强吸附层。

本发明又提供了一种阵列基板，其包括上述任一项所述的薄膜晶体管或上述任一项制作方法所制作的薄膜晶体管。

其中，所述阵列基板上设置有像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极设置在所述阵列基板的不同层，所述像素电极和所述公共电极之间设置有绝缘层，所述像素电极的形状为狭缝状。

其中，所述公共电极和第一透明导电层采用相同的材料，且两者在同一次光刻工艺中形成；所述像素电极和第二透明导电层采用相同的材料，且两者在同一次光刻工艺中形成。

本发明进一步提供了一种阵列基板的制作方法，其包括如下步骤：

在基板上形成栅极图形、栅线图形、栅线PAD区域图形；

顺序形成栅绝缘层和有源层；

顺序形成第二透明导电层、彼此隔开的源电极和漏电极、数据线以及数据线PAD区域；

形成钝化层，暴露出栅线PAD区域以及数据线PAD区域。

其中，所述阵列基板为ADS模式，在基板上形成栅极图形、栅线图形、栅线PAD区域图形的具体过程为：

在基板上连续形成第一透明导电层和栅极金属层；

在所述栅极金属层上形成具有高度差的光刻胶图案；