[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.薄膜晶体管，包括形成在基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、电极金属层和钝化层；电极金属层包括源电极和漏电极，源电极和漏电极互相隔离，之间为沟道区域；其特征在于，所述有源层和电极金属层之间形成有第二透明导电层。

2.如权利要求1中所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极和基板之间形成有第一透明导电层。

3.如权利要求2中所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极与电极金属层的材料为铜；所述第一透明导电层与栅极之间和/或第二透明导电层与电极金属层之间分别形成有一层金属层，所述金属层的材料为钼、铝、钕、钛或者其合金中的一种。

4.如权利要求1中所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层为非晶硅或氧化物半导体材料。

5.如权利要求2中所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一透明导电层和/或第二透明导电层为锌氧化物，铟锡氧化物、铟锌氧化物、聚乙撑二氧噻吩或石墨烯材料。

6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成栅极；

在所述栅极上形成栅绝缘层和有源层；

在所述栅绝缘层和有源层上形成第二透明导电层，以及位于第二透明导电层上彼此隔开的源电极和漏电极；

在所述源电极和漏电极、以及第二透明导电层上形成钝化层。

7.如权利要求6中所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在基板上形成栅极步骤中，包括：在基板上先形成第一透明导电层，作为栅极和基板之间的增强吸附层。

8.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5中任一项所述的薄膜晶体管或6-7任一项制作方法所制作的薄膜晶体管。

9.如权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上设置有像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极设置在所述阵列基板的不同层，所述像素电极和所述公共电极之间设置有绝缘层，所述像素电极的形状为狭缝状。

10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极和第一透明导电层采用相同的材料，且两者在同一次光刻工艺中形成；所述像素电极和第二透明导电层采用相同的材料，且两者在同一次光刻工艺中形成。

11.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上形成栅极图形、栅线图形、栅线PAD区域图形；

顺序形成栅绝缘层和有源层；

顺序形成第二透明导电层、彼此隔开的源电极和漏电极、数据线以及数据线PAD区域；

形成钝化层，暴露出栅线PAD区域以及数据线PAD区域。

12.如权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板为ADS模式，在基板上形成栅极图形、栅线图形、栅线PAD区域图形的具体过程为：

在基板上连续形成第一透明导电层和栅极金属层；

在所述栅极金属层上形成具有高度差的光刻胶图案；

对所述光刻胶图案进行多步曝光显影，每次曝光显影之后分别对所述栅极金属层进行刻蚀，以形成栅极图形、栅线图形、栅线PAD区域图形和公共电极图形。

13.如权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板为TN模式，在基板上形成栅极图形、栅线图形、栅线PAD区域图形的的具体过程为：

在基板上连续形成第一透明导电层和栅极金属层；

在栅极金属层上旋涂光刻胶，使用掩膜版进行曝光显影，使栅极图形、栅线图形、栅线PAD区域图形所对应的光刻胶保留；

经过刻蚀形成栅极图形、栅线图形、栅线PAD区域图形。

14.如权利要求11所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，当所述有源层为氧化物半导体材料时，顺序形成栅绝缘层和有源层还包括对保护层进行图形化，其具体过程为：

连续沉积栅绝缘层、氧化物半导体层和保护层；

在保护层上旋涂光刻胶；

使用半色调或灰色调掩膜版进行曝光显影，使保护层图形区域的光刻胶完全保留，使两个用于与源电极和漏电极联接的接触区的光刻胶部分保留；

经过多步刻蚀形成氧化物半导体层图形和保护层图形。