[发明专利]去耦电容器及其制造方法有效
| 申请号： | 201210251647.2 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN103199121A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 陈重辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/02;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体衬底具有至少两个有源区，每一个具有至少一个有源器件，该有源器件包括栅电极层；以及位于有源区之间的浅沟槽隔离（STI）区。去耦电容器包括在STI区上方的同一栅电极层中形成的第一伪导电图案和第二伪导电图案。第一伪导电图案和第二伪导电区未与至少一个有源器件中的任何有源器件连接。第一伪导电图案与具有第一电位的电源连接。第二伪导电图案与具有第二电位的电源连接。在第一伪导电图案和第二伪导电图案之间提供介电材料。本发明还提供去耦电容器及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：半导体衬底，具有：至少两个有源区，每一个都具有至少一个有源器件，所述有源器件包括栅电极层，以及浅沟槽隔离(STI)区，位于所述有源区之间；以及去耦电容器，包括：第一伪导电图案和第二伪导电图案，形成在所述STI区上方的同一栅电极层中，所述第一伪导电图案和所述第二伪导电图案未与所述至少一个有源器件中的任何有源器件连接，所述第一伪导电图案与具有第一电位的电源连接，所述第二伪导电图案与具有第二电位的电源连接；以及介电材料，位于所述第一伪导电图案和所述第二伪导电图案之间。
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