[发明专利]去耦电容器及其制造方法

权利要求书

1.一种结构，包括：

半导体衬底，具有：

至少两个有源区，每一个都具有至少一个有源器件，所述有源器件包括栅电极层，以及

浅沟槽隔离(STI)区，位于所述有源区之间；以及

去耦电容器，包括：

第一伪导电图案和第二伪导电图案，形成在所述STI区上方的同一栅电极层中，所述第一伪导电图案和所述第二伪导电图案未与所述至少一个有源器件中的任何有源器件连接，所述第一伪导电图案与具有第一电位的电源连接，所述第二伪导电图案与具有第二电位的电源连接；以及

介电材料，位于所述第一伪导电图案和所述第二伪导电图案之间。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述第一伪导电图案与VDD连接。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第二伪导电图案与VSS连接。

4.根据权利要求2所述的结构，其中，所述第一伪导电图案经由第一接触通孔与导线层中的VDD总线连接，以及所述第二伪导电图案经由第二接触通孔与导线层中的VSS总线连接。

5.一种方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有至少两个有源区以及位于所述有源区之间的浅沟槽隔离(STI)区；

在所述衬底上方形成单栅电极层，所述栅电极层具有：

至少一个栅电极，位于所述至少两个有源区中的每一个的上方，以及

第一伪导电图案和第二伪导电图案，位于所述STI区上方，所述第一伪导电图案和所述第二伪导电图案未与所述至少一个有源器件中的任何有源器件连接，所述第一伪导电图案与具有第一电位的电源连接，所述第二伪导电图案与具有第二电位的电源连接；以及

在所述第一伪导电图案和所述第二伪导电图案之间提供介电材料，从而形成去耦电容器。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括经由第一接触通孔将所述第一伪导电图案连接至导线层中的VDD总线，以及经由第二接触通孔将所述第二伪导电图案连接至所述导线层中的VSS总线。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一伪导电图案和所述第二伪导电图案是线段，每一个的长度都大于所述有源区的宽度。

8.一种结构，包括：

半导体衬底，具有：

至少两个有源区，每一个具有至少一个有源器件，所述有源器件包括多晶硅层，以及

浅沟槽隔离(STI)区，位于所述有源区之间；以及

去耦电容器，包括：

第一伪导电图案和第二伪导电图案，形成在所述STI区上方的同一多晶硅层中，所述第一伪导电图案和所述第二伪导电图案未与所述至少一个有源器件中的任何有源器件连接，所述第一伪导电图案与具有第一电位的电源连接，所述第二伪导电图案与具有第二电位的电源连接；以及

介电材料，位于所述第一伪导电图案和所述第二伪导电图案之间。

9.根据权利要求8所述的结构，其中：

每一个有源区具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及

每一个MOSFET的栅电极形成在所述多晶硅层中。

10.根据权利要求8所述的结构，其中：

每一个有源区具有双极结型晶体管(BJT)；以及

所述BJT的发射极形成在所述多晶硅层中。