[发明专利]自对准接触孔的小尺寸MOSFET结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种自对准接触孔的小尺寸MOSFET的制作方法，包括步骤：1）刻蚀沟槽，生长栅氧，淀积多晶硅并回刻；2）生长衬垫氧化层，进行体区、源区注入及热退火；3）淀积氮化硅和LPTEOS；4）回刻除去TEOS和氮化硅；5）淀积层间介质层并平坦化；6）涂布光刻胶，曝光接触孔；然后除去光刻胶，干法刻蚀层间介质层至硅表面，再进行硅刻蚀，形成接触孔底部沟槽。本发明还公开了应用上述方法制作的MOSFET结构。本发明通过在传统制造工艺基础上，增加一层SiN和LPTEOS的淀积和刻蚀，实现了接触孔与栅极沟槽的自对准，从而在不增加光刻层数的前提下，解决了元胞尺寸缩小过程中遇到的接触孔套准精度问题。

主权项

自对准接触孔的小尺寸MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在硅衬底上刻蚀出沟槽，并在刻蚀完成后，保留刻蚀阻挡层；2）生长栅极氧化层，淀积多晶硅，并将多晶硅回刻至刻蚀阻挡层表面；3）除去刻蚀阻挡层，在硅外延层和多晶硅表面生长衬垫氧化层，然后进行体区、源区的注入及热退火；4）淀积氮化硅和低压正硅酸乙酯；5）回刻除去正硅酸乙酯和氮化硅，并使刻蚀停留在衬垫氧化层上；6）淀积层间介质层，并平坦化；7）涂布光刻胶，曝光接触孔；然后除去光刻胶，选择二氧化硅比氮化硅刻蚀选择比高的刻蚀气体，将层间介质层刻蚀到硅表面；再选择硅比氮化硅刻蚀选择比高的刻蚀气体进行硅刻蚀，形成接触孔底部沟槽；后续按照常规工艺完成MOSFET的制作。