[发明专利]自对准接触孔的小尺寸MOSFET结构及制作方法

权利要求书

1.自对准接触孔的小尺寸MOSFET的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在硅衬底上刻蚀出沟槽，并在刻蚀完成后，保留刻蚀阻挡层；

2）生长栅极氧化层，淀积多晶硅，并将多晶硅回刻至刻蚀阻挡层表面；

3）除去刻蚀阻挡层，在硅外延层和多晶硅表面生长衬垫氧化层，然后进行体区、源区的注入及热退火；

4）淀积氮化硅和低压正硅酸乙酯；

5）回刻除去正硅酸乙酯和氮化硅，并使刻蚀停留在衬垫氧化层上；

6）淀积层间介质层，并平坦化；

7）涂布光刻胶，曝光接触孔；然后除去光刻胶，选择二氧化硅比氮化硅刻蚀选择比高的刻蚀气体，将层间介质层刻蚀到硅表面；再选择硅比氮化硅刻蚀选择比高的刻蚀气体进行硅刻蚀，形成接触孔底部沟槽；后续按照常规工艺完成MOSFET的制作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），多晶硅回刻采用干法刻蚀方法，沟槽内的过刻蚀量在以内。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），用干法刻蚀方法去除二氧化硅刻蚀阻挡层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3），用热氧化方法生长衬垫氧化层，所述衬垫氧化层的厚度为

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），用化学气相沉积方法淀积氮化硅和正硅酸乙酯，所述氮化硅的厚度为所述正硅酸乙酯的厚度为

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5），回刻采用干法刻蚀方法。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6），用化学气相沉积方法淀积层间介质层，所述层间介质层为硼磷硅玻璃。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤7），硅刻蚀的刻蚀深度为

9.应用权利要求1-8任何一种方法制作的自对准接触孔的小尺寸MOSFET的结构，其特征在于，硅外延层和沟槽多晶硅的表面覆盖有一层二氧化硅衬垫氧化层，沟槽凸出于硅外延层的那部分侧壁外覆盖有氮化硅。

10.根据权利要求9所述的结构，其特征在于，所述二氧化硅衬垫氧化层的厚度为所述氮化硅的厚度为