[发明专利]背接触层结构及其制备方法、包括其的CdTe薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 201210239698.3 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102779860A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 王德亮;白治中 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/073;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及新型CdTe薄膜太阳能电池。更具体地，本发明涉及一种用于CdTe薄膜太阳能电池的新型背接触层结构，其中包括依次设置在CdTe薄膜上的MoO3背接触缓冲层和金属背电极层。本发明还涉及制造这样的背接触层结构薄膜的方法和利用这样的背接触层结构的CdTe薄膜太阳能电池器件。本发明能够提供一种高效廉价且长期工作稳定性优良的CdTe薄膜太阳能电池器件。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 及其 制备 方法 包括 cdte 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种用于CdTe薄膜太阳能电池的背接触层结构，包括：依次设置在CdTe薄膜上的MoO3背接触缓冲层和金属背电极层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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