[发明专利]背接触层结构及其制备方法、包括其的CdTe薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种用于CdTe薄膜太阳能电池的背接触层结构，包括：依次设置在CdTe薄膜上的MoO₃背接触缓冲层和金属背电极层。

2.根据权利要求1所述的背接触层结构，其中，所述MoO₃缓冲层的厚度为10-60nm。

3.根据权利要求2所述的背接触层结构，其中，所述MoO₃缓冲层的厚度为10-40nm。

4.根据权利要求1所述的背接触层结构，其中，所述金属背电极层为金属钼(Mo)、镍(Ni)或钨(W)背电极层。

5.根据权利要求4所述的背接触层结构，其中，所述金属背电极层的厚度为100-500nm。

6.一种制备根据权利要求1-5中任一项所述的背接触层结构的方法，包括：

在氧气和氩气混合气体或纯氩气的气氛下，将金属Mo或MoO₃靶材磁控溅射到CdTe薄膜上以形成所述MoO₃缓冲层；以及

在氩气气氛中将用于所述金属背电极层的金属靶材磁控溅射到所述MoO₃缓冲层上以形成所述金属背电极层。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：在形成所述MoO₃缓冲层之前，对所述CdTe薄膜的表面进行预处理。

8.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：在形成所述金属背电极层之后，对所述CdTe薄膜上的所述背接触层结构进行真空退火处理。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述MoO₃缓冲层是通过在总压强为0.2-0.5Pa的气氛下预溅射金属Mo或MoO₃靶材5-15min后、再溅射生长10-30min而形成的。

10.根据权利要求6-9中任一项所述的方法，其中，所述方法在单生长室磁控溅射系统或双生长室磁控溅射系统中进行。

11.一种CdTe薄膜太阳能电池，包括根据权利要求1-5中任一项所述的背接触层结构或通过根据权利要求6-10中任一项所述的方法制造的背接触层结构。

12.根据权利要求11所述的CdTe薄膜太阳能电池，包括：

透明衬底；

设置在所述透明衬底上的透明导电前电极；

设置在所述透明导电前电极上的CdS窗口层；

设置在所述CdS窗口层上的作为吸收层的CdTe薄膜；

设置在所述CdTe薄膜上的MoO₃缓冲层；以及

设置在所述MoO₃缓冲层上的金属背电极层。