[发明专利]一种无基板Mg基储氢薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210238683.5 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102774808A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 宋云;孙大林;梅永峰;赵祺旸 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01B3/02 | 分类号： | C01B3/02;B32B15/01 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于功能材料技术领域，具体涉及一种无基板Mg基储氢薄膜及其制备方法。制备步骤包括：在基板上旋涂光刻胶牺牲层，再依次磁控溅射沉积TM/Mg基/TM多层功能储氢薄膜，溶解光刻胶牺牲层从衬底上剥离储氢功能薄膜，离心洗涤并在真空室温环境下干燥获得新型纳米结构的Mg基储氢材料。本方法制备的无基板Mg基储氢薄膜材料改善了现有方法中基板与薄膜间应变引起的薄膜破裂、脱落等情况，并且将有效含氢量所占体系质量从0.0025%最高提升至7.4%。此外，无基板Mg基储氢薄膜材料具有强抗氧化能力和低脱氢温度，并能在近室温条件实现可逆加氢反应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无基板 mg 基储氢 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种无基板Mg基储氢薄膜材料，其特征在于为一种多层功能薄膜，其结构依次为：TM，Mg基，TM，记为TM/Mg基/TM；其中，TM为具有抗氧化/催化活性的3d过渡金属或5f稀土金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210238683.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
