[发明专利]一种无基板Mg基储氢薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201210238683.5 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN102774808A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 宋云;孙大林;梅永峰;赵祺旸 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01B3/02 | 分类号： | C01B3/02;B32B15/01 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无基板 mg 基储氢 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无基板Mg基储氢薄膜材料，其特征在于为一种多层功能薄膜，其结构依次为：TM，Mg基，TM，记为TM/Mg基/TM；其中，TM为具有抗氧化/催化活性的3d过渡金属或5f稀土金属。
2.根据权利要求1所述的无基板Mg基储氢薄膜材料，其特征在于TM为Pd、Pt、Ti或Ni。
3.根据权利要求1所述的无基板Mg基储氢薄膜材料，其特征在于Mg基材料为金属Mg，或为Mg基二元合金Mg-Ni合金或Mg-Cu合金。
4.如权利要求1～3之一所述的无基板Mg基储氢薄膜材料的制备方法，其特征在于具体步骤如下：
（1）在包覆锡箔的基板材料上均匀涂抹牺牲层；
（2）采用磁控溅射法，在牺牲层上依次沉积TM、Mg基、TM；
（3）采用丙酮溶解牺牲层，实现薄膜从基底剥离，剥离的薄膜材料以卷曲的管状形式分散进入牺牲层物质和丙酮混合溶液；
（4）将含有管状形式的薄膜材料的溶液转入离心管，通过3-5次离心收集、丙酮漂洗的循环过程，分离卷曲的管状材料；
（5）在室温真空环境中干燥，获得所需的纳米结构Mg基储氢薄膜材料。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述的牺牲层为聚甲基丙烯酸甲酯或ARP3510光刻胶。
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