[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器件，包括：第一和第二垂直沟道层，其实质上平行地从半导体衬底大致地向上突出；第一栅极组，其被配置成包括多个存储器单元栅，所述多个存储器单元栅实质上沿第一垂直沟道层层叠并且通过实质上插入在存储器单元栅之间的层间绝缘层彼此隔离；第二栅极组，其被配置成包括多个存储器单元栅，所述多个存储器单元栅实质上沿第二垂直沟道层层叠并且实质上被插入在存储器单元栅之间的层间绝缘层彼此隔离；管道沟道层，其被配置成将第一和第二垂直沟道层耦接；以及沟道层延伸部分，其大致地从管道沟道层向半导体衬底延伸并且被配置成将管道沟道层与半导体衬底耦接。

主权项

一种非易失性存储器件，包括：第一垂直沟道层和第二垂直沟道层，所述第一垂直沟道层和所述第二垂直沟道层都实质上平行地从半导体衬底大致地向上突出；第一栅极组，所述第一栅极组被配置成包括多个存储器单元栅，所述多个存储器单元栅实质上沿所述第一垂直沟道层层叠并且实质上被插入在所述存储器单元栅之间的层间绝缘层彼此隔离；第二栅极组，所述第二栅极组被配置成包括多个存储器单元栅，所述多个存储器单元栅实质上沿所述第二垂直沟道层层叠并且实质上被插入在所述存储器单元栅之间的层间绝缘层彼此隔离；管道沟道层，所述管道沟道层被配置成将所述第一垂直沟道层与所述第二垂直沟道层耦接；以及沟道层延伸部分，所述沟道层延伸部分从所述管道沟道层向所述半导体衬底延伸并且被配置成将所述管道沟道层与所述半导体衬底耦接。