[发明专利]一种具有低操作电压的NROM结构器件有效
| 申请号： | 201210228272.8 | 申请日： | 2012-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN102769032A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 田志;顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L27/112;H01L21/28;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低操作电压的NROM结构器件及其制作方法，在阻挡氧化硅层和多晶硅栅极之间插入一层具有氮化硅层和P+多晶硅横向交叉的层。利用在栅极电压下，不同区域阈值电压的不同来调节沟道中电子的速度，使电子到达漏端或是源端前已经有一个大的速度（不是源或是漏端和衬底的交界处）这样就会有较多的电子注入存储电荷氮化硅层，而不易被源或是漏端的高电场所收集。提高编程效率，降低编程电压，从而可以降低高操作电压对器件性能和可靠性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 操作 电压 nrom 结构 器件 | ||
【主权项】：
一种具有低操作电压的NROM结构器件，其特征在于，在具有源漏极的硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层、电荷存储氮化硅层和多晶硅控制栅，所述隧穿氧化硅层与硅衬底相接触；所述多晶硅控制栅具有较大的顶部和较小的底部，所述底部嵌入电荷存储氮化硅层并将电荷存储氮化硅层分割成不相连的左右两部分，所述多晶硅控制栅底部与阻挡氧化硅层相接触；所述栅极四周设有侧墙，所述源漏极分别设在栅极两侧的硅衬底中。
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