[发明专利]一种具有低操作电压的NROM结构器件

权利要求书

1.一种具有低操作电压的NROM结构器件，其特征在于，在具有源漏极的硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：

隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层、电荷存储氮化硅层和多晶硅控制栅，所述隧穿氧化硅层与硅衬底相接触；

所述多晶硅控制栅具有较大的顶部和较小的底部，所述底部嵌入电荷存储氮化硅层并将电荷存储氮化硅层分割成不相连的左右两部分，所述多晶硅控制栅底部与阻挡氧化硅层相接触；

所述栅极四周设有侧墙，所述源漏极分别设在栅极两侧的硅衬底中。

2.根据权利要求1所述的NROM结构器件，其特征在于，所述硅衬底为P型硅衬底。

3.根据权利要求1所述的NROM结构器件，其特征在于，所述多晶硅控制栅为P⁺多晶硅控制栅。

4.根据权利要求1所述的NROM结构器件，其特征在于，所述隧穿氧化硅层的厚度为3~4mm、氮化硅层的厚度为6~8 mm、阻挡氧化硅层厚度为4~6 mm。

5.根据权利要求1所述的NROM结构器件，其特征在于，所述两侧氮化硅层底部区域和多晶硅控制栅底部区域之比为1：3：1。

6.一种形成如权利要求1所述的具有低操作电压的NROM结构器件的方法，其特征在于，首先在硅衬底上先后制备隧穿氧化硅层、氮化硅层、阻挡氧化硅层、电荷存储氮化硅层；其次在电荷存储氮化硅层上刻蚀出填充多晶硅的区域，之后沉积多晶硅并制作相应的多晶硅控制栅，最后蚀除去多余部分制作侧墙和源漏极。

7.一种形成如权利要求1所述的具有低操作电压的NROM结构器件的方法，其特征在于，首先在硅衬底上先后制备隧穿氧化硅层、氮化硅层、电荷存储氮化硅层；其次将电荷存储氮化硅层两端的多晶硅去除，后淀积氮化硅，最后蚀除去多余部分制作侧墙和源漏极。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述硅衬底为P型硅衬底。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述多晶硅控制栅为P⁺多晶硅控制栅。

10.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述述隧穿氧化硅层的厚度为3~4mm、氮化硅层的厚度为6~8 mm、阻挡氧化硅层厚度为4~6 mm。