[发明专利]制作太能阳电池的方法无效
申请号: | 201210217327.5 | 申请日: | 2012-06-27 |
公开(公告)号: | CN102779898A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
发明(设计)人: | 黄明政;骆文钦;杨青天 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制作太能阳电池的方法,其利用单一道制作过程同时形成具有粗糙表面的轻度掺杂区以及具有平坦表面的重度掺杂区。此外,重度掺杂区与设置于其上的电极之间为一平坦的界面,其具有较低的接触电阻。 | ||
搜索关键词: | 制作 阳电 方法 | ||
【主权项】:
一种制作太能阳电池的方法,其特征在于,包括:提供一基底,其中该基底具有一第一表面与相对于该第一表面的一第二表面;进行一扩散制作过程,将一掺杂质扩散至该基底内以形成一邻近该第一表面的一第一掺杂区,其中该第一掺杂区具有一第一掺杂类型;形成一图案化掩膜层于该第一掺杂区上,其中该图案化掩膜层覆盖部分该第一掺杂区且暴露出部分该第一掺杂区;移除被该图案化掩膜层所暴露出的部分该第一掺杂区及其所含的部分该掺杂质,以使该图案化掩膜层所暴露出的该第一掺杂区形成一轻度掺杂区,其中该轻度掺杂区具有一粗糙表面;移除该图案化掩膜层,以暴露出被该图案化掩膜层所覆盖的部分该第一掺杂区,其成为一重度掺杂区,且该重度掺杂区具有一平坦表面;于该基底内形成一邻近该第二表面的第二掺杂区,其中该第二掺杂区具有一第二掺杂类型,且该第一掺杂类型相反于该第二掺杂类型;以及于该基底的该第一表面的该重度掺杂区上形成一第一电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的