[发明专利]制作太能阳电池的方法无效

专利信息
申请号: 201210217327.5 申请日: 2012-06-27
公开(公告)号: CN102779898A 公开(公告)日: 2012-11-14
发明(设计)人: 黄明政;骆文钦;杨青天 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种制作太能阳电池的方法,其利用单一道制作过程同时形成具有粗糙表面的轻度掺杂区以及具有平坦表面的重度掺杂区。此外,重度掺杂区与设置于其上的电极之间为一平坦的界面,其具有较低的接触电阻。
搜索关键词: 制作 阳电 方法
【主权项】:
一种制作太能阳电池的方法,其特征在于,包括:提供一基底,其中该基底具有一第一表面与相对于该第一表面的一第二表面;进行一扩散制作过程,将一掺杂质扩散至该基底内以形成一邻近该第一表面的一第一掺杂区,其中该第一掺杂区具有一第一掺杂类型;形成一图案化掩膜层于该第一掺杂区上,其中该图案化掩膜层覆盖部分该第一掺杂区且暴露出部分该第一掺杂区;移除被该图案化掩膜层所暴露出的部分该第一掺杂区及其所含的部分该掺杂质,以使该图案化掩膜层所暴露出的该第一掺杂区形成一轻度掺杂区,其中该轻度掺杂区具有一粗糙表面;移除该图案化掩膜层,以暴露出被该图案化掩膜层所覆盖的部分该第一掺杂区,其成为一重度掺杂区,且该重度掺杂区具有一平坦表面;于该基底内形成一邻近该第二表面的第二掺杂区,其中该第二掺杂区具有一第二掺杂类型,且该第一掺杂类型相反于该第二掺杂类型;以及于该基底的该第一表面的该重度掺杂区上形成一第一电极。
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