[发明专利]制作太能阳电池的方法

权利要求书

1.一种制作太能阳电池的方法，其特征在于，包括：

提供一基底，其中该基底具有一第一表面与相对于该第一表面的一第二表面；

进行一扩散制作过程，将一掺杂质扩散至该基底内以形成一邻近该第一表面的一第一掺杂区，其中该第一掺杂区具有一第一掺杂类型；

形成一图案化掩膜层于该第一掺杂区上，其中该图案化掩膜层覆盖部分该第一掺杂区且暴露出部分该第一掺杂区；

移除被该图案化掩膜层所暴露出的部分该第一掺杂区及其所含的部分该掺杂质，以使该图案化掩膜层所暴露出的该第一掺杂区形成一轻度掺杂区，其中该轻度掺杂区具有一粗糙表面；

移除该图案化掩膜层，以暴露出被该图案化掩膜层所覆盖的部分该第一掺杂区，其成为一重度掺杂区，且该重度掺杂区具有一平坦表面；

于该基底内形成一邻近该第二表面的第二掺杂区，其中该第二掺杂区具有一第二掺杂类型，且该第一掺杂类型相反于该第二掺杂类型；以及

于该基底的该第一表面的该重度掺杂区上形成一第一电极。

2.如权利要求1所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，其中该基底具有该第二掺杂类型。

3.如权利要求1所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，其中移除被该图案化掩膜层所暴露出部分的该第一掺杂区及其所含的部分该掺杂质的步骤包括进行一干法蚀刻制作过程。

4.如权利要求1所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，另包括于该基底的该第一表面上形成一抗反射层。

5.如权利要求1所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，其中该第一电极以一印刷制作过程形成于该基底的该第一表面。

6.如权利要求4所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，另包括进行一烧结制作过程，以使该第一电极与该重度掺杂区接触并电性连接。

7.如权利要求6所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，其中形成该第二掺杂区的步骤包括：

于该基底的该第二表面形成一金属层；以及

利用该烧结制作过程使该金属层与该基底形成金属硅化物所构成的该第二掺杂区。

8.如权利要求7所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，更包含：

于该烧结制作过程之前，先利用一印刷制作过程于该金属层上形成一第二电极；以及

对该第二电极与该金属层进行该烧结制作过程。

9.如权利要求1所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，其中该第二掺杂区利用另一扩散制作过程形成。

10.如权利要求9所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，更包含于该第二掺杂区上形成一第二电极。

11.如权利要求1所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，其中进行该扩散制作过程时，同时会将该掺杂质扩散至该基底内以形成一邻近该第二表面的另一第一掺杂区。

12.如权利要求11所述的制作太能阳电池的方法，其特征在于，另包括于移除该图案化掩膜层之后进行一移除步骤，以移除该另一第一掺杂区。