[发明专利]制作太能阳电池的方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种制作太能阳电池的方法，尤指一种利用单一制作过程同时形成具有粗糙表面的轻度掺杂区以及具有平坦表面的重度掺杂区的制作太能阳电池的方法。

背景技术

由于地球石油资源有限，因此近年来对于替代能源的需求与日俱增。在各式替代能源中，太阳能由于能够通过自然界的循环而源源不绝，已成为目前最具发展潜力的绿色能源。

受限于高制作成本、制作过程复杂与光电转换效率不佳等问题，太阳能的发展仍待进一步的突破。因此，制作低制作成本、具简化制作过程与高光电转换效率的太阳能电池，而使太阳能取代现行高污染与高风险的能源实为当前能产业最主要的发展方向之一。

为了提升光电转换效率，目前业界研发出一种具有选择性射极(selective emitter)的太阳能电池。请参考图1。图1绘示了公知太阳能电池的示意图。如图1所示，公知太阳能电池1包括一基底2、一轻度掺杂区3、一重度掺杂区4、一第一电极5、一抗反射层6、一背表面电场结构(back surface field,BSF)7以及一第二电极8。基底2具有一第一表面21与一第二表面22，且为了增加入光量，基底2的第一表面21具有粗糙表面。轻度掺杂区3与重度掺杂区4形成于邻近第一表面21的基底2内。第一电极5设置于重度掺杂区4上。抗反射层6位于轻度掺杂区3上。背表面电场结构7与第二电极8设置于基底2的第二表面22上。

由于重度掺杂区4与第一电极5具有较低的接触电阻，因此理论上可提升太阳能电池1的光电转换效率。然而，由于公知太阳能电池1的重度掺杂区4具有粗糙表面，因此尽管第一电极5与重度掺杂区4接触，但第一电极5与重度掺杂区4之间的接触电阻无法如预期降低，而影响太阳能电池1的光电转换效率。此外，由于公知太阳能电池的基底2的第一表面21的粗糙表面利用湿法蚀刻制作过程形成，在此状况下第一表面21的粗糙表面会具有较高的反射率，而使得入光量无法进一步提升。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种制作太能阳电池的方法，以提升光电转换效率。

本发明的一较佳实施例提供一种制作太能阳电池的方法，包括下列步骤。提供一基底，其中基底具有一第一表面与相对于第一表面的一第二表面。进行一扩散制作过程，将一掺杂质扩散至基底内以形成一邻近第一表面的一第一掺杂区，其中第一掺杂区具有一第一掺杂类型。形成一图案化掩膜层于第一掺杂区上，其中图案化掩膜层覆盖部分第一掺杂区且暴露出部分第一掺杂区。移除被图案化掩膜层所暴露出的部分第一掺杂区及其所含的部分掺杂质，以使图案化掩膜层所暴露出的第一掺杂区形成一轻度掺杂区，其中轻度掺杂区具有一粗糙表面。移除图案化掩膜层，以暴露出被图案化掩膜层所覆盖的部分第一掺杂区，其成为一重度掺杂区，且重度掺杂区具有一平坦表面。于基底内形成一邻近第二表面的第二掺杂区，其中第二掺杂区具有一第二掺杂类型，且第一掺杂类型相反于第二掺杂类型。于基底的第一表面的重度掺杂区上形成一第一电极。

上述的制作太能阳电池的方法，其中该基底具有该第二掺杂类型。

上述的制作太能阳电池的方法，其中移除被该图案化掩膜层所暴露出部分的该第一掺杂区及其所含的部分该掺杂质的步骤包括进行一干法蚀刻制作过程。

上述的制作太能阳电池的方法，另包括于该基底的该第一表面上形成一抗反射层。

上述的制作太能阳电池的方法，其中该第一电极以一印刷制作过程形成于该基底的该第一表面。

上述的制作太能阳电池的方法，另包括进行一烧结制作过程，以使该第一电极与该重度掺杂区接触并电性连接。

上述的制作太能阳电池的方法，其中形成该第二掺杂区的步骤包括：

于该基底的该第二表面形成一金属层；以及

利用该烧结制作过程使该金属层与该基底形成金属硅化物所构成的该第二掺杂区。

上述的制作太能阳电池的方法，更包含：

于该烧结制作过程之前，先利用一印刷制作过程于该金属层上形成一第二电极；以及

对该第二电极与该金属层进行该烧结制作过程。

上述的制作太能阳电池的方法，其中该第二掺杂区利用另一扩散制作过程形成。

上述的制作太能阳电池的方法，更包含于该第二掺杂区上形成一第二电极。

上述的制作太能阳电池的方法，其中进行该扩散制作过程时，同时会将该掺杂质扩散至该基底内以形成一邻近该第二表面的另一第一掺杂区。

上述的制作太能阳电池的方法，另包括于移除该图案化掩膜层之后进行一移除步骤，以移除该另一第一掺杂区。