[发明专利]半导体器件测试方法有效
| 申请号： | 201210214365.5 | 申请日： | 2012-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN103512508A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 付作振;马小龙;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01B11/16 | 分类号： | G01B11/16;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件测试方法，包括：在衬底上形成栅绝缘介质层；在栅绝缘介质层上形成无应力金属屏蔽层；在无应力金属屏蔽层中形成栅极形状的多个无应力金属屏蔽层线条构成的凹槽阵列；在凹槽阵列中形成应力金属栅层；去除无应力金属屏蔽层顶部的应力金属栅层，余下的应力金属栅在衬底中形成多个沟道应变区；采用Raman测量凹槽阵列中应力金属栅层下方的短沟道衬底应变。依照本发明的半导体器件测试方法，在无应力金属屏蔽薄膜中形成栅极形状的凹槽阵列，通过较厚金属屏蔽层屏蔽除应力金属栅材料正下方以外的Raman光波信号，实现短沟道应变的Raman测量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件测试方法，包括：在衬底上形成栅绝缘介质层；在栅绝缘介质层上形成无应力金属屏蔽层；在无应力金属屏蔽层中形成栅极形状的多个无应力金属屏蔽层线条构成的凹槽阵列；在凹槽阵列中形成应力金属栅层；去除无应力金属屏蔽层顶部的应力金属栅层，余下的应力金属栅在衬底中形成多个沟道应变区；采用Raman测量凹槽阵列中应力金属栅层下方的短沟道衬底应变。
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