[发明专利]用于从基部基底受控地移除半导体器件层的方法有效
| 申请号： | 201210199986.0 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102832177A | 公开（公告）日： | 2012-12-19 |
| 发明（设计）人： | S·W·比德尔;郑政玮;D·K·萨达纳;徐崑庭;N·E·索萨科尔特斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 吴立明 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种从基部基底受控地移除半导体器件层的方法，包括在基部基底的上表面上提供裂纹传播层。在裂纹传播层上形成包括至少一个半导体器件的半导体器件层。接着，蚀刻裂纹传播层的端部部分以在裂纹传播层中起始形成裂纹。随后分裂经蚀刻的裂纹传播层以提供经分裂的裂纹传播层部分至半导体器件层的表面，并且提供另一经分裂的裂纹传播层部分至基部基底的上表面。从半导体器件层的表面移除经分裂的裂纹传播层部分，并且从基部基底的上表面移除另一经分裂的裂纹传播层部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 基部 基底 受控 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种从基部基底移除半导体器件层的方法，所述方法包括：在基部基底的上表面上提供裂纹传播层；在所述裂纹传播层上形成包括至少一个半导体器件的半导体器件层；蚀刻所述裂纹传播层的端部部分以在所述裂纹传播层中起始形成裂纹；分裂经蚀刻的裂纹传播层以提供经分裂的裂纹传播层部分至所述半导体器件层的表面，并且提供另一经分裂的裂纹传播层部分至所述基部基底的上表面；以及从所述半导体器件层的表面移除经分裂的裂纹传播层部分，以及从所述基部基底的上表面移除所述另一经分裂的裂纹传播层部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210199986.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：干选干燥联合设备
- 下一篇：一种复合型膨胀阻燃剂改性热固性树脂及其制备方法
