[发明专利]用于从基部基底受控地移除半导体器件层的方法

权利要求书

1.一种从基部基底移除半导体器件层的方法，所述方法包括：

在基部基底的上表面上提供裂纹传播层；

在所述裂纹传播层上形成包括至少一个半导体器件的半导体器件层；

蚀刻所述裂纹传播层的端部部分以在所述裂纹传播层中起始形成裂纹；

分裂经蚀刻的裂纹传播层以提供经分裂的裂纹传播层部分至所述半导体器件层的表面，并且提供另一经分裂的裂纹传播层部分至所述基部基底的上表面；以及

从所述半导体器件层的表面移除经分裂的裂纹传播层部分，以及从所述基部基底的上表面移除所述另一经分裂的裂纹传播层部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述提供裂纹传播层包括选择具有小于所述基部基底并且小于所述半导体器件层的断裂韧度的材料。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述裂纹传播层的所述材料包括半导体材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述半导体材料包括锗或AlAs。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，所述基部基底是半导体材料、玻璃或陶瓷。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述半导体器件层包括在其上形成的至少一个半导体器件，在所述形成半导体器件层之前或者之后形成所述至少一个半导体器件。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述提供应力源层包括从金属应力源层和聚合物应力源层之中选择一个。

8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述应力源层顶上形成塑性薄层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在包括至少一个蚀刻剂的浴槽中执行所述蚀刻。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在从室温至低于室温的温度下执行所述分裂。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述移除经分裂的裂纹传播层部分和另一经分裂的裂纹传播层部分包括蚀刻工艺。

12.一种从基部基底移除半导体器件层的方法，所述方法包括：

在基部基底的上表面上提供牺牲结构，所述牺牲结构从底部至顶部包括第一限制层、裂纹传播层和第二限制层；

在所述牺牲结构的第二限制层上形成包括至少一个半导体器件的半导体器件层；

蚀刻所述裂纹传播层的端部部分以在所述牺牲结构的裂纹传播层中起始形成裂纹；

分裂经蚀刻的裂纹传播层以将经分裂的裂纹传播层部分提供至位于所述半导体器件层的表面上的所述第二限制层的表面，并且将另一经分裂的裂纹传播层部分提供至位于所述基部基底的上表面上的所述第一限制层的表面；

从位于所述半导体器件层的表面上的所述第二限制层的表面移除经分裂的裂纹传播层部分，以及从位于所述基部基底的上表面上的所述第一限制层的表面移除另一经分裂的裂纹传播层部分；以及

从所述基部基底的上表面移除所述第一限制层，并且从所述半导体器件层的表面移除所述第二限制层。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述提供所述牺牲结构包括选择具有大于所述裂纹传播层的断裂韧度的第一限制材料和第二限制材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第一限制层和第二限制层包括AlAs。

15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述提供所述牺牲结构包括选择具有小于所述基部基底和半导体器件层的断裂韧度的、用于所述裂纹传播层的材料。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述用于所述裂纹传播层的材料包括锗。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一限制层和所述第二限制层包括AIAs。

18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述半导体器件层包括在其上形成的至少一个半导体器件，在所述形成半导体器件层之前或者之后形成所述至少一个半导体器件。

19.根据权利要求12所述的方法，其中，所述提供应力源层包括从金属应力源层和聚合物应力源层中选择一个。

20.根据权利要求12所述的方法，进一步包括在所述应力源层顶上形成塑性薄层。