[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210196552.5 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN102709329A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 许民庆;张芳芳;李宏远;于艳玲 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。此方法为在基板上形成栅极、栅极绝缘层、半导体层与掺杂半导体层，然后用等离子体氮化处理，使其在掺杂半导体层的表面形成Si-N弱键结，接着沉积第二金属层，并蚀刻形成源极、漏极并曝露出源极和漏极之间的半导体层。由于在第二金属层沉积之前，掺杂半导体层上已经形成Si-N弱键结，这种方法避免了第二金属层与掺杂半导体层中的硅原子形成键结，并因此减小了接触阻抗同时防止蚀刻速率变慢造成蚀刻残留。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管包含：一栅极，配置于一基板上；一栅极绝缘层，配置于该基板上，并覆盖该栅极；一沟道层，设置于该栅极绝缘层上；一欧姆接触层，设置于该沟道层上，且该欧姆接触层的表面具有Si‑N弱键结；一源极及一漏极，分别设置于该欧姆接触层的两侧并与该欧姆接触层部分重叠。
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